[实用新型]一种半导体致冷晶棒测试仪有效

专利信息
申请号: 201820650366.7 申请日: 2018-05-03
公开(公告)号: CN208092192U 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 阮秀沧 申请(专利权)人: 泉州市依科达半导体致冷科技有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R29/12;G01R27/08
代理公司: 福州市鼓楼区鼎兴专利代理事务所(普通合伙) 35217 代理人: 黄幼姑;杨慧娟
地址: 362000 福建省泉州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
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【说明书】:

本实用新型公开了一种半导体致冷晶棒测试仪,包括第一探头、第二探头、第一电极、第二电极和数据采集卡,第一探头上设有第一热电偶,第二探头上设有第二热电偶和加热器,第一探头、第二探头、第一热电偶、第二热电偶均与数据采集卡电连接,第一电极和第二电极间串联有电源E、开关K、限流电阻R和采样电阻Rc,采样电阻Rc的两端分别与数据采集卡电连接,数据采集卡与一控制器、一显示器通讯连接,第一探头、第二探头与半导体致冷晶棒顶触,第一电极和第二电极分别位于半导体致冷晶棒的两端与之相贴触,本实用新型结构简单,可用于半导体致冷晶棒的温差电动势率和电阻率的测试,且避免了人工的数据记录与计算,大大提高测试效率,使其适合工业应用。

技术领域

本实用新型涉及半导体材料测量装置技术领域,特别是指一种半导体致冷晶棒测试仪。

背景技术

温差电动势率和电阻率用以表征材料的输电性能,是半导体材料的重要参数。半导体温差电动势率和电阻率的测量方法、原理在一些书籍中均有记载,按书籍中的记载,温差电动势率和电阻率的测试电路不同,需采用两电路方法对半导体的温差电动势率和电阻率进行测量,且测量结果的计算、处理较低能,需人工处理,其只适合实验室使用,不适合生产型企业。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体致冷晶棒测试仪。

为实现本实用新型的目的,现详细说明其技术方案:一种半导体致冷晶棒测试仪,包括第一探头、第二探头、第一电极、第二电极和数据采集卡,第一探头上设有第一热电偶,第二探头上设有第二热电偶和加热器,第一探头、第二探头、第一热电偶、第二热电偶均与数据采集卡电连接,第一电极和第二电极间串联有电源E、开关K、限流电阻R和采样电阻Rc,采样电阻Rc的两端分别与数据采集卡电连接,数据采集卡与一控制器通讯连接,控制器与一显示器通讯连接,在对半导体致冷晶棒的温差电动势率和电阻率进行测试时,第一探头、第二探头沿半导体致冷晶棒的长度方向分布,第一探头、第二探头的端头均与半导体致冷晶棒顶触,第一电极和第二电极分别位于半导体致冷晶棒的两端且与半导体致冷晶棒贴触。

进一步地,第一探头上的第一热电偶和第二探头上的第二热电偶沿第一探头、第二探头分布的中心线相对称。如此,以便测量第一探头和第二探头间的温度差ΔT更准确。

本实用新型半导体致冷晶棒测试仪,在对半导体致冷晶棒的温差电动势率进行测试前,加热器开启工作,使第一探头和第二探头间的温度差ΔT恒定,在对半导体致冷晶棒的温差电动势率进行测试时,使第一探头、第二探头与半导体致冷晶棒顶触,数据采集卡采集第一探头、第二探头间的电压v1,控制器计算出半导体致冷晶棒的温差电动势率α=v1/ΔT;对半导体致冷晶棒的电阻率进行测试时,闭合开关K,数据采集卡采集采样电阻Rc两端的电压v2,控制器计算经过半导体致冷晶棒的电流I=v2/Rc,同时,数据采集卡采集第一探头、第二探头间的电压v3,控制器计算出半导体致冷晶棒的电导率σ=v3*π* r2/I/L,本实用新型半导体致冷晶棒测试仪,结构简单,可用于半导体致冷晶棒的温差电动势率和电阻率的测试,且采用数据采集卡将各测量过程中的中间测量值采集并输送至控制器,利用控制器记录这些中间测量值,并计算出半导体致冷晶棒的温差电动势率和电阻率的测量值,其避免了人工的数据记录与计算,大大提高测试效率,使其适合工业应用。

附图说明

图1是本实用新型半导体致冷晶棒测试仪的连接结构图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新半导体致冷晶棒测试仪的具体实施方式作详细的说明:

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