[实用新型]能量补偿装置及个人剂量仪

权利要求书

1.一种能量补偿装置，其特征在于，所述能量补偿装置包括壳体组件、重金属层、CZT探测器以及处理装置，CZT探测器设置于所述重金属层以及所述处理装置之间，且所述CZT探测器与所述处理装置耦合；

所述壳体组件包括容置箱、箱体盖、第一安装架、第二安装架以及第三安装架；所述箱体盖设置于所述容置箱的一端，用于盖合所述容置箱，所述第一安装架、第二安装架以及所述第三安装架依次设置于所述容置箱内，且所述第一安装架与第二安装架之间，第二安装架与所述第三安装架之间均连通，所述容置箱设置有开口，所述重金属层设置于所述第一安装架内，且设置于与所述开口位置相对应的位置处，所述CZT探测器设置于所述第二安装架内与所述重金属层位置相对应的位置处，所述处理装置设置于所述第三安装架内与所述CZT探测器相对应的位置处；

所述重金属层上设置有多个通孔，用于使经过所述重金属层的X射线以及γ射线衰减；

所述CZT探测器用于将经所述重金属层衰减后不同能量下的剂量场的X射线或γ射线产生的电压信号传输至处理装置；

所述处理装置用于对所述CZT探测器的电压信号进行处理，实现不同能区的计数率值的归一化补偿，以使设置有所述能量补偿装置的个人剂量仪的能量响应相对于¹³⁷Cs的响应偏差小于20％。

2.根据权利要求1所述的能量补偿装置，其特征在于，所述重金属层为Pb、Sn、W、Cu或Al金属层中的一种。

3.根据权利要求2所述的能量补偿装置，其特征在于，所述重金属层为厚度为0.5-3mm的Pb。

4.根据权利要求1所述的能量补偿装置，其特征在于，所述CZT探测器为厚度为1mm～5mm的CZT半导体探测器。

5.根据权利要求1所述的能量补偿装置，其特征在于，所述箱体盖与所述容置箱可拆卸连接。

6.根据权利要求5所述的能量补偿装置，其特征在于，所述箱体盖上设置有卡块，所述容置箱上设置卡槽，所述卡槽与所述卡块相匹配。

7.根据权利要求1所述的能量补偿装置，其特征在于，所述壳体组件还包括第一滑轨组件、第二滑轨组件以及第三滑轨组件，所述第一滑轨组件设置于所述容置箱设置有所述第一安装架的位置处，用于使所述第一安装架沿所述第一滑轨组件滑动，所述第二滑轨组件设置于所述容置箱设置有所述第二安装架的位置处，用于使所述第二安装架沿所述第二滑轨组件滑动，所述第三滑轨组件设置于所述容置箱设置有所述第三安装架的位置处，用于使所述第三安装架沿所述第三滑轨组件滑动。

8.根据权利要求7所述的能量补偿装置，其特征在于，所述第一滑轨组件、第二滑轨组件以及所述第三滑轨组件均为单滑轨组件。

9.根据权利要求8所述的能量补偿装置，其特征在于，所述第一滑轨组件包括第一外壳以及第一内芯，所述第一外壳与所述第一内芯匹配，所述第一外壳设置于所述容置箱设置有所述第一安装架的位置处，所述第一内芯设置于所述第一安装架靠近所述容置箱的一侧；

所述第二滑轨组件包括第二外壳以及第二内芯，所述第二外壳与所述第二内芯匹配，所述第二外壳设置于所述容置箱设置有所述第二安装架的位置处，所述第二内芯设置于所述第二安装架靠近所述容置箱的一侧；

所述第三滑轨组件包括第三外壳以及第三内芯，所述第三外壳与所述第三内芯匹配，所述第三外壳设置于所述容置箱设置有所述第三安装架的位置处，所述第三内芯设置于所述第三安装架靠近所述容置箱的一侧。

10.一种个人剂量仪，其特征在于，所述个人剂量仪包括权利要求1所述的能量补偿装置以及剂量仪外壳，所述能量补偿装置设置于所述剂量仪外壳中。