[实用新型]一种低寄生电感的双面焊接功率模块有效
| 申请号： | 201820646361.7 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN208271878U | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 郝凤斌;王玉林;滕鹤松;徐文辉 | 申请（专利权）人： | 扬州国扬电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/07 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 饶欣 |
| 地址： | 225101 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜层 二极管 输入极 半桥开关 功率模块 输出极 电感 本实用新型 半桥芯片 负极端子 开关器件 双面焊接 低寄生 半桥 芯片 导电体连接 寄生电感 平行设置 正极端子 导电体 极端子 输出 | ||
1.一种低寄生电感的双面焊接功率模块，其特征在于：包括由上往下平行设置的输入极DBC(1)和输出极DBC(6)，输入极DBC外侧铜层(13)上设有负极端子(12)，输入极DBC内侧铜层(14)上设有正极端子(11)，输出极DBC内侧铜层(63)上设有输出极端子(61)；上半桥芯片和下半桥芯片设于输入极DBC内侧铜层(14)上或者输出极DBC内侧铜层(63)上；上半桥芯片包括上半桥开关器件(151)和上半桥二极管(152)，下半桥芯片包括下半桥开关器件(161)和下半桥二极管(162)；负极端子(12)通过多个导电体连接输入极DBC内侧铜层(14)，导电体分别位于上半桥开关器件(151)与下半桥二极管(162)之间以及上半桥二极管(152)与下半桥开关器件(161)之间，或者分别位于上半桥开关器件(151)上方和下半桥二极管(162)上方。
2.根据权利要求1所述的低寄生电感的双面焊接功率模块，其特征在于：所述输入极DBC内侧铜层(14)和输出极DBC内侧铜层(63)上均设有阻流槽。
3.根据权利要求2所述的低寄生电感的双面焊接功率模块，其特征在于：所述输入极DBC内侧铜层(14)上的阻流槽正对于下半桥开关器件(161)与下半桥二极管(162)之间的缝隙。
4.根据权利要求2所述的低寄生电感的双面焊接功率模块，其特征在于：所述输出极DBC内侧铜层(63)上的阻流槽的一部分正对于上半桥开关器件(151)与上半桥二极管(152)之间的缝隙，另一部分正对于下半桥开关器件(161)与下半桥二极管(162)之间的缝隙。
5.根据权利要求1所述的低寄生电感的双面焊接功率模块，其特征在于：所有芯片与DBC铜层之间均设有应力缓冲层。
6.根据权利要求1所述的低寄生电感的双面焊接功率模块，其特征在于：上半桥芯片和下半桥芯片焊接在输入极DBC内侧铜层(14)上或者焊接在输出极DBC内侧铜层(63)上。
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