[实用新型]一种用于纳米多孔SEBS薄膜的复合结构和模板有效
| 申请号： | 201820643028.0 | 申请日： | 2018-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN208454863U | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张旻;常诚谊 | 申请（专利权）人： | 清华大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | C08J9/26 | 分类号： | C08J9/26;C08J5/18;C25D11/34;C08L53/02 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 王震宇 |
| 地址： | 518055 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 纳米多孔 铜箔 纳米线阵列 氢氧化铜 制备 复合结构 纳米线 本实用新型 紧密包裹 可控性 纳米孔 填充 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于制备纳米多孔SEBS薄膜的复合结构，其特征在于，包括铜箔和覆盖在所述铜箔的表面上的一层SEBS薄膜，所述铜箔的表面具有一层氢氧化铜纳米线阵列，所述氢氧化铜纳米线阵列中的各个纳米线被紧密包裹于所述SEBS薄膜中，形成由所述氢氧化铜纳米线阵列中的各个纳米线填充所述SEBS薄膜上对应的纳米孔的结构。
2.如权利要求1所述的复合结构，其特征在于，所述SEBS薄膜厚度为20-100μm。
3.如权利要求1或2所述的复合结构，其特征在于，所述氢氧化铜纳米线阵列中的纳米线的直径为60-500nm，对应的所述SEBS薄膜上的纳米孔的孔径为60-500nm。
4.一种用于制备如权利要求1至3任一项所述的复合结构以便得到纳米多孔SEBS薄膜的模板，其特征在于，包括铜箔，所述铜箔的表面具有一层氢氧化铜纳米线阵列。
5.如权利要求4所述的模板，其特征在于，所述氢氧化铜纳米线阵列中的纳米线的直径为60-500nm。
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