[实用新型]一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜有效

专利信息
申请号: 201820608764.2 申请日: 2018-04-26
公开(公告)号: CN208395261U 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 俞科;郭廷玮 申请(专利权)人: 常州龙腾光热科技股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/10;C23C14/06
代理公司: 南京钟山专利代理有限公司 32252 代理人: 戴朝荣
地址: 213100 江苏省常州市武进*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 纳米层 吸收膜 电介质 等离子体增强 本实用新型 纳米膜层 区域表面 溅射 宽带 吸收率 蜂窝状孔隙结构 复合 表面等离子 不锈钢基 等离激元 光学特性 局部表面 纳米结构 中频电源 共聚焦 光电场 光子学 波长 镀覆 共振 嵌入 干涉
【权利要求书】:

1.一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜,其特征在于:由上而下依次为Ag+SiO2纳米层、SiO2纳米层、Ag纳米层和Si纳米层,其中,所述Ag+SiO2纳米层中,Ag纳米颗粒随机嵌入电介质SiO2纳米膜层中,在电介质SiO2纳米膜层中形成蜂窝状孔隙结构,且孔隙直径为50~100nm,各孔隙间间距为100~200nm,所述Si纳米层由共聚焦孪生Si靶通过中频电源溅射镀覆在不锈钢基底表面上,形成中频孪生溅射形态。

2.根据权利要求1所述的一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜,其特征在于,所述Ag+SiO2纳米层由Ag靶和SiO2靶分别通过直流电源和射频电源同时共溅射镀覆在SiO2纳米层表面,且所述Ag+ SiO2纳米层厚度为10~40nm。

3.根据权利要求1或2所述的一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜,其特征在于,所述SiO2纳米层由SiO2靶通过射频电源溅射镀覆在Ag纳米层表面,且所述SiO2纳米层的厚度为10~30nm。

4.根据权利要求3所述的一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜,其特征在于,所述Ag纳米层由Ag靶通过直流电源溅射镀覆在Si纳米层表面上,且所述Ag纳米层的厚度为70~110nm。

5.根据权利要求1、2或4所述的一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜,其特征在于,所述Si纳米层的厚度为150~200nm。

6.根据权利要求1所述的一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜,其特征在于,所述Ag纳米颗粒的粒径为3-5.5nm。

7.根据权利要求1或6所述的一种区域表面等离子体增强超薄宽带复合吸收膜,其特征在于,所述Ag纳米颗粒在Ag+ SiO2纳米层中的填充率为40-68%。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州龙腾光热科技股份有限公司,未经常州龙腾光热科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820608764.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top