[实用新型]一种低翘曲度的太阳能多晶硅片有效
| 申请号: | 201820607095.7 | 申请日: | 2018-04-25 |
| 公开(公告)号: | CN208062074U | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
| 发明(设计)人: | 蒋春桥;刘琼;朱智俊;朱晴峰 | 申请(专利权)人: | 嘉兴能发电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H02S30/10 |
| 代理公司: | 嘉兴永航专利代理事务所(普通合伙) 33265 | 代理人: | 江程鹏 |
| 地址: | 314599 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硅片 太阳能多晶硅片 海绵垫圈 低翘曲 钢化玻璃层 定位框 定位块 聚氟乙烯复合膜 太阳能技术领域 本实用新型 四周边沿 向上凸起 周边设置 电池片 定位槽 内壁面 翘曲度 内壁 嵌装 面具 相抵 保证 | ||
本实用新型提供了一种低翘曲度的太阳能多晶硅片,属于太阳能技术领域。它解决了现有太阳能多晶硅片翘曲度难以保持的问题。本低翘曲度的太阳能多晶硅片,包括硅片主体,其特征在于,所述硅片主体呈矩形,且硅片主体的四周边设置有一圈定位框,所述硅片主体和定位框之间设置有海绵垫圈,所述海绵垫圈的内壁面具有用于嵌装硅片主体的定位槽一,所述硅片主体由下往上依次包括聚氟乙烯复合膜、电池片和钢化玻璃层,所述钢化玻璃层具有向上凸起且呈矩形的定位块,所述定位块的四周边沿与海绵垫圈的内壁面相抵靠。它的钢化玻璃层由海绵垫圈及定位框进一步包裹,结构牢固,保证原有低翘曲度。
技术领域
本实用新型属于太阳能技术领域,涉及一种太阳能多晶硅片,特别是一种低翘曲度的太阳能多晶硅片。
背景技术
太阳能多晶硅片兼具单晶硅片的高转换效率和长寿命以及非晶硅薄膜片的材料制备工艺相对简化等优点的新一代太阳能电池片,其转换效率一般为12%左右,稍低于单晶硅片,没有明显效率衰退问题,并且有可能在廉价衬底材料上制备,其成本远低于单晶硅片,而效率高于非晶硅薄膜片。
现有的太阳能多晶硅片在生产过程中易产生翘曲,同时由于内部结构简单,且缺少外部防护结构,在安装和使用时如果存在不规范操作也容易造成翘曲度加剧,而影响太阳能多晶硅片的性能。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有的技术存在上述问题,提出了一种低翘曲度的太阳能多晶硅片,它所要解决的技术问题是如何保证太阳能多晶硅片在使用时能够维持低翘曲度。
本实用新型的目的可通过下列技术方案来实现:一种低翘曲度的太阳能多晶硅片,包括硅片主体,其特征在于,所述硅片主体呈矩形,且硅片主体的四周边设置有一圈定位框,所述硅片主体和定位框之间设置有海绵垫圈,所述海绵垫圈的内壁面具有用于嵌装硅片主体的定位槽一,所述硅片主体由下往上依次包括聚氟乙烯复合膜、电池片和钢化玻璃层,所述钢化玻璃层具有向上凸起且呈矩形的定位块,所述定位块的四周边沿与海绵垫圈的内壁面相抵靠。
本太阳能多晶硅片的硅片主体的钢化玻璃层由海绵垫圈及定位框进一步包裹,结构牢固,保证原有低翘曲度。
在上述的低翘曲度的太阳能多晶硅片中,所述定位块的顶面与定位框的顶面相齐平。稳定性更好。
在上述的低翘曲度的太阳能多晶硅片中,所述定位框的内壁具有定位槽二,所述海绵垫圈的外壁面具有向外凸出且用于嵌设在定位槽二内的环形定位部。海绵垫圈与定位框之间配合更加紧密。
在上述的低翘曲度的太阳能多晶硅片中,所述海绵垫圈的上部具有夹设在定位框和定位块之间的夹持环部一,所述夹持环部一位于环形定位部的上方,且夹持环部一的顶面与定位框的顶面相齐平。夹持环部一的底面抵靠在钢化玻璃层四周边沿下凹的边沿上。
在上述的低翘曲度的太阳能多晶硅片中,所述海绵垫圈的下部具有夹持环部二,所述夹持环部二位于环形定位部的下方,且夹持环部二的外壁面抵靠在定位框下部内壁面上。
在上述的低翘曲度的太阳能多晶硅片中,所述聚氟乙烯复合膜的底面为平面,且聚氟乙烯复合膜的底面四周边沿抵靠在定位槽一内。聚氟乙烯复合膜的底面,即硅片主体的底面与海绵垫圈及定位框的底面之间存在间隙,避免划伤。
在上述的低翘曲度的太阳能多晶硅片中,所述定位框的呈矩形,且定位框的四角制为圆角。避免磕碰而造成的损伤。
在上述的低翘曲度的太阳能多晶硅片中,所述定位框由铝合金材料制成。
与现有技术相比,本实用新型中的硅片主体由海绵垫圈及定位框进行包裹,能够避免在安装和使用时由于不规范操作而导致的损坏,同时由于钢化玻璃层的边缘嵌设在海绵垫圈内,且向上凸起的定位块四周边沿均与海绵垫圈相抵靠,结构稳定性更好。
附图说明
图1是本实用新型的俯视结构图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





