[实用新型]8-12G宽带低噪声放大器

说明书

本实用新型涉及低噪声放大器技术领域，尤其为8‑12G低噪声放大器，由三级放大器构成，放大器采用电流复用供电。第一级放大器选用窄栅宽三极管，第二级放大器采用窄栅宽三极管，第三级放大器采用窄栅宽三极管。与传统结构相比，本结构具有带宽宽、驻波低、增益高、噪声低和工作电流小等优点。

技术领域

本实用新型涉及低噪声放大器技术领域，具体为8-12G宽带低噪声放大器。

背景技术

传统的低噪声放大电路，采用耗尽型工艺制作，耗尽型工艺需要提供负压偏置，增加了应用的复杂性。增强型工艺是一种较晚开发的新型工艺，与耗尽型工艺相比，具有噪声低、增益高、不需负压偏置等优点，但也有工艺波动较大，一致性较差的缺点。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供8-12G宽带低噪声放大器，以解决上述背景技术中提出的问题。所述8-12G宽带低噪声放大器具有电路结构简单，与传统的低噪声放大器相比明显降低了噪声系数的特点。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

8-12G宽带低噪声放大器，包括三级放大器，每级放大器包括三极管，采用电流复用结构，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源级接去耦电容，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级三极管栅极相连；第二级三极管漏级通过扼流电感接第三级三极管源级；第三级三极管源级接去耦电容，第三级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第二级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第三级三极管栅极相连。

优选的，第一级放大器选用窄栅宽三极管，第二级放大器、第三级放大器采用窄栅宽三极管，第一级三极管栅宽200um，第二级三极管栅宽100um，第三级三极管栅宽100um。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：电路结构简单，与传统的低噪声放大器相比明显降低了噪声系数；有效降低了整体电流。

附图说明

图1为本实用新型电路结构示意图；

图2为本实用新型电路的增益及增益平坦度测试图；

图3为本实用新型电路的噪声系数测试图；

图4为本实用新型电路的输入反射系数测试图；

图5为本实用新型电路的输出反射系数测试图；

图6为本实用新型电路的输出1dB压缩点测试图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型提供技术方案：