[实用新型]一种基于MJT技术的倒装RCLED

权利要求书

1.一种基于MJT技术的倒装RCLED，包括表面结构(1)、圆形衬底(2)、缓冲层(3)、上布拉格发射镜(4)、N型氮化镓(5)、多量子肼(6)、P型氮化镓(7)、金属互联(8)、下布拉格发射镜(9)、金锡共晶焊(10)、氮化铝陶瓷基板(11)、透明导电层(12)、P型电极(13)和N型电极(14)，其特征在于，在圆形衬底(2)表面用纳米压印技术压出均匀分布的表面凸起，形成表面结构(1)，然后再对圆形衬底(2)背面进行保护后湿法腐蚀表面，腐蚀出半球状图形，形成缓冲层(3)；然后在MOCVD中生长缓冲层(3)、5对上布拉格反射镜(4)、N型氮化镓(5)、多量子肼(6)、P型氮化镓(7)和34对下布拉格反射镜(9)；在高氧浓度氛围溅射ITO透明导电电流扩展层，即透明导电层(12)，光刻腐蚀互联槽，用PECVD淀积镍金金属互联填充物，在淀积二氧化硅保护；光刻腐蚀引线槽，淀积金锡电极；对衬底进行等离子刻蚀减薄，并制作表面结构(1)；将芯片共晶焊至氮化铝陶瓷基板(11)上；用金属互联(8)将两个PN结串联；器件在衬底正向生长后倒装于氮化铝陶瓷基板(11)上。

2.根据权利要求1所述的一种基于MJT技术的倒装RCLED，其特征在于，电流通过氮化铝陶瓷基板(11)下方的焊盘进入P型电极(13)，空穴注入量子阱，与来自N型区域的电子复合发光。

3.根据权利要求2所述的一种基于MJT技术的倒装RCLED，其特征在于，流入N型氮化镓(5)的未复合完毕的空穴通过金属互联(8)流入下一个PN结，再注入到量子阱与电子复合，用金属互联(8)将两个PN结串联，两个PN结的量子阱区复合发出的光，经过高反射率的下布拉格反射镜(9)和低反射率的上布拉格反射镜(4)的模式修饰，产生光谱半峰宽很窄的单色光辐射，经过图形衬底和表面结构辐射出去。

4.根据权利要求1所述的一种基于MJT技术的倒装RCLED，其特征在于，5对上布拉格反射镜(4)和34对下布拉格反射镜(9)，分别实现40％和99％的反射率，形成高效的谐振腔，使有源区波长从470nm±10nm变窄至470nm±5nm。

5.根据权利要求1所述的一种基于MJT技术的倒装RCLED，其特征在于，共晶焊无金线方案在的条件下，达到500次冷热循环以上的开关寿命。