[实用新型]单、双轴磁场传感器及电子设备有效

专利信息
申请号: 201820587327.7 申请日: 2018-04-23
公开(公告)号: CN208283534U 公开(公告)日: 2018-12-25
发明(设计)人: 冷群文;曹志强;闫韶华;郭宗夏;郑臻益;赵巍胜 申请(专利权)人: 北京航空航天大学青岛研究院;歌尔科技有限公司
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02
代理公司: 北京太合九思知识产权代理有限公司 11610 代理人: 刘戈
地址: 266104 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 磁阻模块 磁化方向 参考层 全桥电路 磁场传感器 自由层磁化方向 本实用新型 电子设备 桥臂 垂直 产品成品率 制造成本 夹角为 衬底
【说明书】:

实用新型实施例提供了一种单、双轴磁场传感器及电子设备。该单磁场传感器包括:位于衬底上的第一全桥电路,第一全桥电路包括两个第一、第二磁阻模块,两个第一磁阻模块分别位于第一全桥电路一对相对桥臂上,两个第二磁阻模块分别位于第一全桥电路另一对相对桥臂上;第一磁阻模块的参考层磁化方向与自由层磁化方向垂直、两个第一磁阻模块的参考层磁化方向相同;第二磁阻模块的参考层磁化方向与自由层磁化方向垂直、两个第二磁阻模块的参考层磁化方向相同;第一磁阻模块的参考层磁化方向与第二磁阻模块的参考层磁化方向夹角为A,0<A<180°。本实用新型提供的技术方案具有工艺简单、制造成本低等优点,并且能提高产品成品率,满足大规模生产需求。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种单、双轴磁场传感器及电子设备。

背景技术

目前,磁场传感器已开发应用于电子罗盘等领域。通常,磁场传感器每个传感轴对应有两个相反的钉扎方向。

现有技术中,由于难以在一个芯片上制备得到两个相反的钉扎方向,通常采用多芯片拼接的方式得到磁场传感器。而多芯片在拼接时很难避免机械误差,这就导致成品灵敏度低、成品率低,难以满足大规模生产的需求。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种单轴、双轴磁场传感器及电子设备,目的在于提高产品灵敏度以及成品率。

为了解决上述技术问题,本实用新型一些实施例提供了一种单轴磁场传感器,该单轴磁场传感器,包括:

衬底;

位于所述衬底上的第一全桥电路,所述第一全桥电路包括两个第一磁阻模块和两个第二磁阻模块,两个所述第一磁阻模块分别位于所述第一全桥电路的一对相对桥臂上,两个所述第二磁阻模块分别位于所述第一全桥电路的另一对相对桥臂上;

所述第一磁阻模块的参考层的磁化方向与自由层的磁化方向垂直、两个所述第一磁阻模块的参考层的磁化方向相同;

所述第二磁阻模块的参考层的磁化方向与自由层的磁化方向垂直、两个所述第二磁阻模块的参考层的磁化方向相同;

所述第一磁阻模块的参考层的磁化方向与相邻的所述第二磁阻模块的参考层的磁化方向夹角为A,0&lt;A&lt;180°;

所述第一磁阻模块的参考层的磁化方向和所述单轴磁场传感器的传感轴正方向的夹角与所述第二磁阻模块的参考层的磁化方向和所述单轴磁场传感器的传感轴正方向的夹角互补。

可选地,所述第一磁阻模块和所述第二磁阻模块均具有易磁化轴;

所述第一磁阻模块的自由层的磁化方向和所述第二磁阻模块的自由层的磁化方向分别平行于各自的易磁化轴。

可选地,所述第一磁阻模块的易磁化轴与所述第二磁阻模块的易磁化轴的夹角为80°~100°。

可选地,所述第一磁阻模块的易磁化轴与所述第二磁阻模块的易磁化轴的夹角为85°~95°。可选地,所述第一磁阻模块的易磁化轴与所述第二磁阻模块的易磁化轴的夹角为90°。

可选地,两个所述第一磁阻模块的自由层的磁化方向相同;两个所述第二磁阻模块的自由层的磁化方向相同;

所述第一磁阻模块的自由层的磁化方向和所述单轴磁场传感器的传感轴正方向的夹角与所述第二磁阻模块的自由层的磁化方向和所述单轴磁场传感器的传感轴正方向的夹角互补。

可选地,所述第一磁阻模块由M个第一磁阻单元串联而成、所述第二磁阻模块由N个第二磁阻单元串联而成,其中M、N均为正整数。

可选地,所述M个第一磁阻单元的易磁化轴相互平行、所述N个第二磁阻单元的易磁化轴相互平行。

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