[实用新型]一种P型IBC太阳能电池电极结构有效
申请号: | 201820586620.1 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN208014711U | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 张鹏;张冠纶;吴俊旻;常青;洪布双;王岚;杨蕾 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 张玺 |
地址: | 230088 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主栅线 副栅线 太阳能电池电极 本实用新型 栅线 载流子 工业化生产过程 太阳能电池 互不相连 交错设置 连接设置 金属化 绝缘胶 连接栅 线连接 正负极 电极 使用率 断线 浆料 主栅 电池 | ||
本实用新型公开了一种P型IBC太阳能电池电极结构,包括主栅线,所述主栅线设置于太阳能电池上,所述主栅线的两侧均设置有“匚”形副栅线,所述“匚”形副栅线与主栅线留有间隙;每根所述主栅线一侧的“匚”形副栅线通过引栅线相连,相邻所述主栅线上的“匚”形副栅线交错设置、互不相连;所述引栅线通过引栅连接栅线连接于主栅线上。本实用新型通过主栅线和副栅线之间的连接设置,可以降低浆料的使用率,并且极大程度上的避免正负极交叉风险的同时,还可以提升电极收集载流子能力,相比8主栅的常规绝缘胶金属化方案可以提高电池的效率0.8—1.0%,以及能够有效降低工业化生产过程中的断线等风险,实用性很强,非常值得推广。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体为一种P型IBC太阳能电池电极结构。
背景技术
传统晶硅太阳能电池正面(受光面)由于受到金属电极造成的遮光,导致太阳能电池不能充分的利用太阳光能量,从而制约着太阳能电池的转换效率。随着太阳能电池技术的发展及应用,一种将金属电极做到电池背面的背接触式(IBC)太阳能电池应运而生。
IBC指交叉背接触电池,是指电池正面无电极,正负两极金属栅线呈指状交叉排列于电池背面,IBC电池最大的特点就是PN结合金属接触都处于电池的背面,正面没有金属电极遮挡的影响,因此具有更高的短路电流Jsc,同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻Rs从而提高填充因子FF,加上电池前表面场以及良好钝化作用带来的开路电压增益,使得这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高,而且看上去更美观。
所以IBC电池的背面电极结构的设计是该电池的技术重点,但是电极结构在印刷时,需要考虑印刷工艺的复杂性、浆料的使用以及断栅情况的避免,现有技术中,申请号为“201720080498.6”的一种IBC电池电极结构,包括正极接触细栅线、正极连接栅线、负极接触细栅线和负极连接栅线,由正极接触细栅线、正极连接栅线、负极接触细栅线和负极连接栅线在同一平面上排布而成,其中极性相同的连接栅线和接触细栅线垂直连接,极性相反的连接栅线和接触细栅线、接触细栅线和接触细栅线、连接栅线和连接栅线相互绝缘;该IBC电池电极结构,相比常规绝缘胶金属化方案可以提高电池的效率0.3—0.5%,降低大面积IBC电池主栅线印刷的复杂性,增加工艺的可选择性。
但是,上述该IBC电池电极结构,还存在以下较为明显的缺陷:在印刷细栅线时,若印刷厚度过大,浪费印刷浆料且印刷工艺难度增加,印刷厚度过小,极其容易出现断栅现象,从而影响电池性能,而且通过该电极结构的设置,使得该电池效率提升得不显著。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种P型IBC太阳能电池电极结构,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种P型IBC太阳能电池电极结构,包括主栅线,所述主栅线设置于太阳能电池上,所述主栅线的两侧均设置有“匚”形副栅线,所述“匚”形副栅线与主栅线留有间隙;
每根所述主栅线一侧的“匚”形副栅线通过引栅线相连,相邻所述主栅线上的“匚”形副栅线交错设置、互不相连;
所述引栅线通过引栅连接栅线连接于主栅线上。
优选的,所述主栅线依次间隔设置为正电极主栅和负电极主栅。
优选的,所述“匚”形副栅线靠近主栅线一端通过副栅连接栅线连接于主栅线上。
优选的,所述主栅线的两端均连接有端栅线。
优选的,所述主栅线的数量范围为10—25根,所述“匚”形副栅线的数量范围为80—120根。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的