[实用新型]一种彩膜基板、显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 201820569319.X | 申请日: | 2018-04-20 |
| 公开(公告)号: | CN208014705U | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
| 发明(设计)人: | 刘威 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 辅助阴极 彩膜基板 黑矩阵层 平坦层 衬底 透明导电层 显示面板 显示装置 隔垫物 本实用新型 物理属性 性能保持 制备工艺 制备过程 膜层 制备 垂直 暴露 贯穿 保证 | ||
本实用新型涉及显示技术领域,公开了一种彩膜基板、显示面板及显示装置,该彩膜基板包括:形成于衬底上的辅助阴极层;形成于辅助阴极层上且与辅助阴极层对应的黑矩阵层,黑矩阵层上设有多个沿垂直于衬底的方向贯穿黑矩阵层的第一过孔;形成于黑矩阵层上的平坦层,平坦层上设有多个与第一过孔一一对应以暴露辅助阴极层的第二过孔;形成于平坦层上的多个隔垫物;形成于隔垫物上的透明导电层,透明导电层通过第二过孔与辅助阴极层连接。该彩膜基板中,辅助阴极层作为首层设置在衬底上,降低了辅助阴极层的制备工艺难度,有利于提高辅助阴极层的物理属性,有利于保证其它膜层的性能保持良好,简化了彩膜基板的整体制备过程,降低制备成本。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别涉及一种彩膜基板、显示面板及显示装置。
背景技术
在大尺寸AMOLED显示面板开发过程中,采用顶发光技术方案能够提高显示面板的分辨率,因此该技术方案逐渐被深入研究,用于大尺寸显示的AMOLED显示面板由于阴极导电性及制作厚度的限制,需要制作辅助阴极用以降低整体阴极的电阻,避免压降现象的出现,提高显示面板的显示质量。其中,现有技术中辅助阴极一般制作在彩膜基板上,且彩膜基板上制作辅助阴极的制备工艺难度比较大,其中辅助阴极制作的困难在于以下几方面内容:1、辅助阴极制作在有机薄膜上不能采用较高的温度,否则会对有机膜层造成巨大影响;2、辅助阴极金属溅射沉积时基板上尽量不能有有机薄膜,否则会污染溅射沉积设备的腔室,造成损失;3、辅助阴极金属的图形化需要与Array曝光机的Mark进行对位,而CF盖板常规工艺是将BM作为首层来制作,但BM所能制作的分辨率大小有限,其制作的Mark在一定程度上在Array曝光机无法使用,便导致后续辅助阴极金属发生偏移风险。所以,辅助阴极制备比较麻烦、困难的问题亟需解决。
实用新型内容
本实用新型提供了一种彩膜基板、显示面板及显示装置,该彩膜基板中,辅助阴极层作为首层设置在衬底上,降低了辅助阴极层的制备工艺难度,且辅助金属可以采用高温沉积,有利于提高辅助阴极层的物理属性,还可以避免辅助阴极层制备过程中影响其它膜层,有利于保证其它膜层的性能保持良好,另外,简化了彩膜基板的整体制备过程,降低了制备成本。
为达到上述目的,本实用新型提供以下技术方案:
一种彩膜基板,包括:衬底;
形成于所述衬底上的辅助阴极层;
形成于所述辅助阴极层上且与所述辅助阴极层对应的黑矩阵层,所述黑矩阵层上设有多个沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述黑矩阵层以暴露所述辅助阴极层的第一过孔;
形成于所述黑矩阵层上的平坦层,且所述平坦层上设有多个与所述第一过孔一一对应以暴露所述辅助阴极层的第二过孔;
形成于所述平坦层上且间隔设置的多个隔垫物,且所述隔垫物与所述黑矩阵层中区别于所述第一过孔的部位相对;
形成于所述隔垫物上的透明导电层,所述透明导电层通过所述第二过孔与所述辅助阴极层连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





