[实用新型]基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器有效

申请号：	201820557199.1	申请日：	2018-04-18
公开（公告）号：	CN208904041U	公开（公告）日：	2019-05-24
发明（设计）人：	陈建新;周易;田源;柴旭良;徐志成	申请（专利权）人：	中国科学院上海技术物理研究所
主分类号：	H01L31/105	分类号：	H01L31/105;H01L31/0352;H01L31/0304
代理公司：	上海沪慧律师事务所 31311	代理人：	李秀兰
地址：	200083 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
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【权利要求书】：

1.一种基于带间级联结构的长波超晶格红外探测器，其具体结构自InAs(9)衬底向上依次为长波超晶格N型接触层(1)、空穴势垒层(2)、第一级长波超晶格吸收区(3)、多量子阱电子隧穿区(4)、多量子阱电子弛豫区(5)、第二级长波超晶格吸收区(6)、电子势垒区(7)和长波超晶格P型接触层(8)，下电极TiPtAu(11)位于长波超晶格N型接触层(1)上，上电极TiPtAu(10)位于长波超晶格P型接触层(8)上，其特征在于：

所述的长波超晶格N型接触层(1)的结构为20-80周期长波超晶格，每周期由5-7nmInAs和2-4nm GaSb构成；

所述的空穴势垒层(2)的结构为20-80周期中波超晶格，每周期由2-3nm InAs和1-2nmGaSb构成；

所述的第一级长波超晶格吸收区(3)的结构为100-800周期长波超晶格，每周期由5-7nm InAs和2-4nm GaSb构成；

所述的多量子阱电子隧穿区(4)的结构为6-10周期超晶格，每周期由3-5nm GaSb和2-4nm AlSb构成；

所述的多量子阱电子弛豫区(5)的结构为3-5组量子阱，每组量子阱由3-5个相同的量子阱组成，每个量子阱由5-10nm InAs和2-4nm AlSb构成；

所述的第二级长波超晶格吸收区(6)的结构为100-800周期长波超晶格，每周期由5-7nm InAs和2-4nm GaSb构成；

所述的电子势垒区(7)的结构为20-80周期超晶格，每周期由2-3nm InAs和2-4nm GaSb构成；

所述的长波超晶格P型接触层(8)的结构为20-80周期长波超晶格，每周期由4-6nmInAs和2-4nm GaSb构成。

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