[实用新型]一种ESD器件结构有效
申请号: | 201820520335.X | 申请日: | 2018-04-13 |
公开(公告)号: | CN208014700U | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 蒋勤 | 申请(专利权)人: | 深圳市阿赛姆科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 胡吉科 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外部电极 基板 本实用新型 玻璃状物质 放电辅助电极 放电电极 中线位置 放电 电路技术领域 附着物 高电压 响应性 外部 半导体 粒子 施加 生长 覆盖 | ||
本实用新型涉及保护电路技术领域,尤其是一种ESD器件结构,包括第一外部电极、第二外部电极、第一叠基板和第二叠基板,第一外部电极包裹在第一叠基板的外部,第二外部电极包裹在第二叠基板的外部,第一外部电极与第二外部电极连接,第一叠基板的内部中线位置设置有一对第一放电电极,第二叠基板的内部中线位置设置有一对第二放电电极。本实用新型有益效果:本实用新型通过施加试行放电引起的高电压,从而发生部分或全部埋设在覆盖放电辅助电极周围所形成的玻璃状物质中的放电辅助电极的粒子缺失、玻璃状物质中的开裂的生长、玻璃状物质的部分除去、半导体附着物的产生等,能降低具有ESD保护结构的器件中的产品间的ESD放电响应性的偏差。
技术领域
本实用新型涉及保护电路技术领域,尤其是一种ESD器件结构。
背景技术
一般而言,各种电气设备会对浪涌等静电放电比较脆弱,在此情况下,会采用ESD(Electro-Static-Discharge:静电放电)保护结构来保护电路元件免遭静电放电的影响。为了保护电路元件免遭静电影响,ESD保护结构是利用放电现象将过大的电压从信号线引导到接地的结构。
当前,作为具有ESD保护结构的器件,正在开发一种在玻璃陶瓷基板的内部设置空洞部、将分别与信号线和接地相连接的放电电极对相对地设置在空洞部内、并将粒子状的放电辅助电极分散配置在放电电极对之间的器件(例如,参照专利文献1)。该器件结构中,在对信号线施加过大电压的情况下,在放电电极对之间发生经由放电辅助电极的放电,静电被引导到接地。
因此,对于上述问题有必要提出体征数据的分析系统。
实用新型内容
本实用新型目的是克服了现有技术中的不足,提供了一种ESD器件结构。
为了解决上述技术问题,本实用新型是通过以下技术方案实现:
一种ESD器件结构,包括第一外部电极、第二外部电极、第一叠基板和第二叠基板,所述第一外部电极包裹在第一叠基板的外部,所述第二外部电极包裹在第二叠基板的外部,所述第一外部电极与第二外部电极连接,所述第一叠基板的内部中线位置设置有一对第一放电电极,所述第二叠基板的内部中线位置设置有一对第二放电电极。
优选地,一对所述第一放电电极之间设置有若干个第一放电辅助电极。
优选地,一对所述第二放电电极之间设置有若干个第二放电辅助电极。
优选地,所述第一外部电极与第二外部电极之间设置有陶瓷绝缘层。
优选地,所述第一叠基板的内上下部设置有第一空洞,所述第二叠基板的内上下部设置有第二空洞。
优选地,所述第一叠基板和第二叠基板均采用氧化铝材料制成。
优选地,若干个所述第一放电辅助电极之间和若干个所述第二放电辅助电极之间均填充有玻璃状物质。
本实用新型有益效果:本实用新型通过施加试行放电引起的高电压,从而发生部分或全部埋设在覆盖放电辅助电极周围所形成的玻璃状物质中的放电辅助电极的粒子缺失、玻璃状物质中的开裂的生长、玻璃状物质的部分除去、半导体附着物的产生等,由此,能使放电辅助电极的实质上的粒子间隔均匀化,由此也能使放电开始电压稳定化,能降低具有ESD保护结构的器件中的产品间的ESD放电响应性的偏差,而且,能降低重复放电时的ESD放电响应性的变动。
以下将结合附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明,以充分地了解本实用新型的目的、特征和效果。
附图说明
图1是本实用新型的结构图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明,但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的