[实用新型]包括侧壁肖特基界面的设备

权利要求书

1.一种包括侧壁肖特基界面的设备，包括：

第一沟槽，所述第一沟槽设置在半导体区域中；

第二沟槽，所述第二沟槽设置在所述半导体区域中；

凹槽，所述凹槽设置在所述半导体区域中的所述第一沟槽与所述第二沟槽之间并且具有侧壁和底表面；以及

肖特基界面，所述肖特基界面沿着所述凹槽的侧壁，所述凹槽的所述底表面排除肖特基界面。

2.根据权利要求1所述的设备，还包括：

肖特基侧面，所述肖特基侧面包括所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述凹槽；以及

有源侧面，所述有源侧面与所述肖特基侧面分开并且包括多个沟槽。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽分开一定距离，所述距离不同于来自所述多个沟槽的一对相邻沟槽之间的距离。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述凹槽在所述半导体区域中的深度小于所述第一沟槽在所述半导体区域中的深度。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述侧壁是第一侧壁，所述肖特基界面是第一肖特基界面，所述凹槽具有第二侧壁，

所述设备还包括：

第二肖特基界面，所述第二肖特基界面沿着所述凹槽的所述第二侧壁。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述侧壁是第一侧壁，所述肖特基界面是第一肖特基界面，所述凹槽具有第二侧壁，

所述设备还包括：

第二肖特基界面，所述第二肖特基界面沿着所述凹槽的所述第二侧壁，

所述底表面设置在所述第一肖特基界面与所述第二肖特基界面之间。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一沟槽包括栅极电极和屏蔽电极。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一沟槽包括设置在所述第一沟槽中的电极，以及设置在所述第一沟槽的侧壁与所述电极之间的电介质。

9.一种包括侧壁肖特基界面的设备，包括：

第一沟槽，所述第一沟槽设置在具有第一导电类型的半导体区域中；

第二沟槽，所述第二沟槽设置在所述半导体区域中；

凹槽，所述凹槽设置在所述半导体区域中的所述第一沟槽与所述第二沟槽之间并且具有侧壁和底表面；

沿着所述侧壁的第一区域，所述第一区域具有所述第一导电类型并且具有小于所述半导体区域的掺杂物浓度的掺杂物浓度；

沿着所述底表面的第二区域，所述第二区域具有第二导电类型；以及

金属，所述金属与所述第一区域和所述第二区域接触。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述第二区域和所述半导体区域限定PN二极管。

11.根据权利要求9所述的设备，其中所述金属和所述第一区域共同限定肖特基界面，所述金属和所述第二区域共同限定欧姆界面，所述第一区域的宽度小于所述第二区域的厚度，所述凹槽在所述半导体区域中的深度小于所述第一沟槽在所述半导体区域中的深度。

12.根据权利要求9所述的设备，还包括：

肖特基侧面，所述肖特基侧面包括所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述凹槽；以及

有源侧面，所述有源侧面与所述肖特基侧面分开并且包括多个沟槽，

所述第一沟槽和所述第二沟槽分开一定距离，所述距离不同于来自所述多个沟槽的一对相邻沟槽之间的距离。

13.根据权利要求9所述的设备，其中所述侧壁是第一侧壁，所述凹槽具有第二侧壁，

所述设备还包括：

第三区域，所述第三区域沿着所述第二侧壁并且具有所述第一导电类型，所述第二区域设置在所述第一区域与所述第三区域之间。