[实用新型]一种半导体器件的清洗装置有效
申请号: | 201820493213.6 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN207966925U | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 蔡永晔;唐飞 | 申请(专利权)人: | 上海思恩装备科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 201611 上海市松*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内槽 外槽 溢流 排水口 上端边 半导体器件 本实用新型 清洗 清洗装置 超声 底端 抛光不锈钢板 半导体清洗 尺寸工艺 清洗效果 选择安装 兆声振子 超声波 波浪状 成品率 进水口 声振板 液体水 兆声波 支撑板 检测 多频 双频 网孔 振板 振子 连通 仪表 零部件 | ||
本实用新型公开了一种半导体器件的清洗装置,包括内槽4和溢流外槽5,与内槽4相连通的溢流外槽5的上端边高于内槽4的上端边,内槽4下部设置有网孔支撑板3,内槽4上端边呈波浪状,内槽4底端设置有与内槽4连通的进水口2,溢流外槽5上设置有排水口6,排水口6设置有用于检测排水口液体水阻率参数的仪表;内槽4和溢流外槽5的材质为316L抛光不锈钢板,内槽4的底端设置有至少一个超声波/兆声波振板1,超声/兆声振板1上均匀分布若干超声/兆声振子,根据待清洗零部件尺寸工艺要求,选择安装双频或多频振子;本实用新型具有提高半导体清洗的颗粒细小程度,进一步提高清洗的效率,易于检测清洗效果,大大提高该清洗步骤的成品率。
技术领域
本实用新型属于半导体清洗技术领域,尤其涉及半导体器件的清洗装置。
背景技术
半导体器件清洗是电子产业重要的一个工艺步骤,很多器件的加工过程中都会被环境中的杂质所污染,因此一般在各工艺结束后均需要对器件进行清洗。随着电子器件的小型化和高集成度的特征,半导体器件允许残留的杂质颗粒的数量和直径越来越小,这也导致了非常微小的颗粒也变得足以影响半导体器件的制造和性能。对于这些微小的颗粒,传统的流体清洗方法并不能够非常有效地去除它们。这是由于在半导体硅片表面和清洗液体之间存在着一个相对静止的边界层。当附着在硅片表面的颗粒直径小于边界层厚度时,清洗液体的流动就无法对颗粒产生作用。为了改善这个问题,超声波和兆声波被引入了半导体清洗工艺。超声波能量可以在水中产生微小的气泡,当气泡爆开时所产生的震动将有助于剥离那些附着在硅片上的微小颗粒,从而洗净硅片。
但是现有的安装有超声波或兆声波的半导体器件清洗装置,在一次清洗过程中,污染物颗粒虽与半导体器件分离,但是悬浮于清洗液内的污染物还会重新附着半导体表面,从而产生二次污染问题,导致清洗效果差,只能重复多次清洗,大大降低工作效率,若在短时间内需要清洗大量半导体器件的情况下,会存在清洗不完的情况;同时要检测半导体器体是否达到清洗指标,需要一个清洗过程完毕后才能对其进行检测,整个清洗和检测过程比较费时费力。
有鉴于此,特提出本实用新型。
实用新型内容
针对现有技术中存在的问题,本实用新型的目的是提供一种半导体器件的清洗装置,提高半导体清洗的颗粒细小程度,进一步提高清洗的效率,易于检测清洗效果,大大提高该清洗步骤的成品率。
为了实现上述目的,本实用新型提供的一种半导体器件的清洗装置,包括内槽和溢流外槽,所述与内槽相连通的溢流外槽的上端边高于内槽的上端边,所述内槽下部设置有网孔支撑板,所述内槽的底端设置有至少一个超声/兆声振板,所述内槽底端设置有与内槽连通的进水口,所述溢流外槽上设置有排水口;
优选地,所述排水口设置有用于检测排水口液体水阻率参数电导率的仪表电导传感器与变送器;
优选地,所述内槽上端边呈波浪状;
优选地,所述振板上均布若干振子;
优选地,所述内槽和外槽的材质为不锈钢板。
本实用新型提供的,具有如下有益效果:
1.设置溢流外槽,悬浮于液体中的污染物会随水流从溢流外槽的排水口排出,有效避免了半导体被二次污染的现象,大大提高了清洗效率,并且通过在排水口设置仪表检测排水口液体的水阻率等参数,检测器件的清洗是否符合指标要求,进一步提高清洗的效率,易于检测清洗效果,显著提高该清洗步骤的成品率。
2.内槽的底端设置有至少一个超声/兆声振板,可根据待清洗零部件尺寸工艺要求,可安装双频或多频振子,以达到提高半导体清洗的颗粒细小程度和更佳清洗效果。
附图说明
图1为本实用新型提供的一种半导体器件的清洗装置的结构示意图。
图2为图1的A-A剖面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造