[实用新型]半导体器件

说明书

本实用新型涉及半导体器件。本实用新型公开了半导体器件的具体实施，该半导体器件可包括：具有多个单元的第一层，每个单元具有漏极指状物、源极指状物和栅极环；具有漏极焊盘和源极焊盘的第二层，该漏极焊盘具有宽度并且该源极焊盘具有与漏极焊盘基本上相同的宽度；其中该第一层的每个漏极指状物的宽度宽于该第一层的每个源极指状物的宽度；并且其中每个漏极焊盘通过第一触点而被耦接到每个漏极指状物，并且该源极焊盘通过第二触点而被耦接到每个源极指状物，其中该第一触点的宽度宽于该第二触点的宽度。本实用新型解决的一个技术问题是改进半导体器件。本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的半导体器件。

本申请是申请日为2017年7月19日、申请号为201720873103.8，实用新型名称为“半导体器件”的实用新型专利申请的分案申请。

技术领域

本文档的各个方面整体涉及半导体器件。特定具体实施涉及共源共栅器件。

背景技术

通常，氮化镓(GaN)器件用于高功率或高频率半导体器件。常规GaN器件包括源极指状物和漏极指状物，并且使用栅极进行操作。

实用新型内容

本实用新型解决的一个技术问题是改进半导体器件。

根据本实用新型的一个方面提供了一种半导体器件，包括：多个单元，每个单元包括至少一个漏极指状物、至少一个源极指状物、和至少一个栅极；至少一个漏极焊盘；多个源极焊盘；与所述多个单元耦接的栅极总线；以及耦接到栅极总线的至少一个栅极焊盘；其中所述漏极焊盘耦接到所述多个单元的每个单元的所述至少一个漏极指状物；其中所述多个源极焊盘的每个耦接到所述多个单元的每个单元的至少一个源极指状物；并且其中漏极焊盘、所述多个源极焊盘以及栅极焊盘中的一个位于漏极指状物、源极指状物、和栅极中的一个之上。

在一个实施例中，所述多个单元是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。

在一个实施例中，所述多个单元包括具有第一长度的第一组和具有第二长度的第二组，所述第二长度长于所述第一组的所述第一长度。

在一个实施例中，栅极总线位于所述多个源极焊盘之下。

根据本实用新型的一个方面提供了一种半导体器件，包括：多个单元，每个单元包括至少一个漏极指状物、至少一个源极指状物、和至少一个栅极；至少一个漏极焊盘；多个源极焊盘；与所述多个单元耦接的栅极总线；以及耦接到栅极总线的至少一个栅极焊盘；其中所述漏极焊盘耦接到所述多个单元的每个单元的所述至少一个漏极指状物；其中所述多个源极焊盘的每个耦接到所述多个单元的每个单元的至少一个源极指状物；其中所述多个源极焊盘在封装期间电耦接在一起；并且其中所述多个单元包括具有第一长度的第一组和具有第二长度的第二组，所述第二长度长于所述第一组的所述第一长度。

在一个实施例中，所述多个单元是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。

在一个实施例中，栅极总线位于所述多个源极焊盘之下。

根据本实用新型的一个方面提供了一种半导体器件，包括：多个单元，每个单元包括至少一个漏极指状物、至少一个源极指状物、和至少一个栅极；至少一个漏极焊盘；多个源极焊盘；与所述多个单元耦接的栅极总线；以及耦接到栅极总线的至少一个栅极焊盘；其中所述漏极焊盘耦接到所述多个单元的每个单元的所述至少一个漏极指状物；其中所述多个源极焊盘的每个耦接到所述多个单元的每个单元的至少一个源极指状物；并且其中所述多个源极焊盘可通过引线接合、凸块及钉头中的一个而彼此耦接。

在一个实施例中，所述多个单元是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。

在一个实施例中，所述多个单元包括具有第一长度的第一组和具有第二长度的第二组，所述第二长度长于所述第一组的所述第一长度。