[实用新型]正交I/Q混频器

说明书

本实用新型提供一种正交I/Q混频器，其中，双面电路基板覆盖在底板的顶部，射频信号微带连接线与小型二功分器连接，小型二功分器的两路输送信号分别输入同相中频信号双平衡混频器和正交中频信号双平衡混频器，同相中频信号双平衡混频器将产生的同相中频信号输入同相中频信号微带连接线；本地震荡信号微带连接线与小型3dB电桥连接，小型3dB电桥将一路同相信号输入同相中频信号双平衡混频器中，并将另一路正交信号输入正交中频信号双平衡混频器中，正交中频信号双平衡混频器将产生的正交中频信号输入正交中频信号微带连接线中。本实用新型简化了连接电路与人工介入的环节，缩小了整体体积，可保证产品一致性和成品率的要求。

技术领域

本实用新型涉及一种混频器，尤其是一种正交I/Q混频器。

背景技术

正交I/Q混频器广泛应用于各种雷达，正交I/Q混频器在混频的同时，还可以使得两路中频相位正交。因为它的两路中频输出的相位差关系，由射频信号和本振的频率大小关系决定，在低本振和高本振时，相位还具有延迟和超前差异的特性。利用正交I/Q混频器的特性，可以在雷达、微波测量等系统中应用很广。

正交I/Q混频器的设计难点在于在更宽的频带内满足变频损耗、隔离等射频指标。目前国内主流的产品带宽基本在2倍频以内，变频损耗基本在9dB～10dB之间。国外技术水平相对较高，部分厂家带宽能达到3个倍频，变频损耗也能控制在8dB左右。

国内外同类产品的主要技术参数如下表：

由上表所示，正交I/Q混频器主要技术指标难度在覆盖频段及变频损耗上，这也是目前国内技术瓶颈所在。

发明内容

针对上述问题中存在的不足之处，本实用新型提供一种简化了连接电路与人工介入的环节，缩小了整体体积，可保证产品一致性和成品率的要求。

为实现上述目的，本实用新型提供一种正交I/Q混频器，包括底板(13)、双面电路基板(12)、同相中频信号双平衡混频器(7)、正交中频信号双平衡混频器(9)、小型二功分器(2)、射频信号微带连接线(6)、本地震荡信号微带连接线(5)、小型3dB电桥(1)、同相中频信号微带连接线(3)与正交中频信号微带连接线(4)，所述双面电路基板(12)覆盖在所述底板(13)的顶部，所述射频信号微带连接线(6)与所述小型二功分器(2)连接，所述小型二功分器(2)的两路输送信号分别输入所述同相中频信号双平衡混频器(7)和所述正交中频信号双平衡混频器(9)，所述同相中频信号双平衡混频器(7)将产生的同相中频信号输入所述同相中频信号微带连接线(3)；

所述本地震荡信号微带连接线(5)与所述小型3dB电桥(1)连接，所述小型3dB电桥(1)将一路同相信号输入所述同相中频信号双平衡混频器(7)中，并将另一路正交信号输入所述正交中频信号双平衡混频器(9)中，所述正交中频信号双平衡混频器(9)将产生的正交中频信号输入所述正交中频信号微带连接线(4)中。

上述的正交I/Q混频器，其中，所述小型3dB电桥(1)被焊接在所述双面电路基板(12)的顶部，所述小型二功分器(2)采用微带结构设置在所述双面电路基板(12)的顶部。

上述的正交I/Q混频器，其中，所述同相中频信号双平衡混频器(7)和所述正交中频信号双平衡混频器(9)均是采用微带结构设置在所述双面电路基板(12)的两侧。

上述的正交I/Q混频器，其中，在所述底板(13)上设有两个底板开槽(14)。

上述的正交I/Q混频器，其中，在所述底板(13)上开设有安装固定孔(11)。

上述的正交I/Q混频器，其中，还包括同相中频信号半导体器件(8)与正交中频信号半导体器件(10)均是贯穿于所述双面电路基板(12)、且焊接在所述双面电路基板(12)两侧的微带电路上。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：