[实用新型]一种基于晶圆测试的熔丝板有效
申请号: | 201820444043.2 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN208111401U | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 吴龙军 | 申请(专利权)人: | 吴龙军 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 王闯;葛莉华 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 熔丝 继电器接口 熔丝单元 继电器 晶圆测试 晶圆测试平台 本实用新型 继电器控制 测试成本 测试效率 待测芯片 单独控制 独立单元 牛角 | ||
本实用新型提供一种基于晶圆测试的熔丝板,包括熔丝段接口、熔丝模板、继电器接口,所述熔丝段接口和所述继电器接口分别与所述熔丝模板连接,所述熔丝段接口与待测芯片连接,所述熔丝模板包括若干个熔丝单元,所述每个熔丝单元是与继电器连接的独立单元且所述每个熔丝单元由继电器进行单独控制,所述继电器接口连接晶圆测试平台的继电器控制位,所述继电器接口采用34PIN牛角座。通过本实用新型,以解决现有技术存在的测试效率低、测试成本高、耗费时间的问题。
技术领域
本实用新型涉及晶圆测试技术领域,具体涉及一种基于晶圆测试的熔丝板。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,形状为圆形,晶圆一般被做成直径为6英寸,8英寸或者12英寸,每片晶圆上有一定数量的芯片,每颗芯片可以在后续加工中做成封装芯片使用。晶圆测试就是在芯片还在晶圆上时的早期测试,主要为了监督晶圆制造厂的良率,有了晶圆测试就可以筛选出早期失效的芯片,避免后期进入封装阶段后不必要的成本损失。
目前,晶圆测试通常通过电容充放电方式来烧断熔丝,主要原理是在探针卡端连接一个电容,且此电容与所有需要烧断的熔丝分别通过继电器相连,如果某个熔丝需要烧断,则通过程序选择与该熔丝对应的继电器导通,这样事先充电的电容就放电了,在放电过程中通过电流烧断该熔丝,达到熔断的目的。但是上述现有技术中,每个产品需要单独进行焊线和焊接继电器及熔丝电容,从而降低了测试效率。
实用新型内容
本实用新型提供一种基于晶圆测试的熔丝板,以解决现有技术存在的测试效率低、测试成本高、耗费时间的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种基于晶圆测试的熔丝板,包括熔丝段接口、熔丝模板、继电器接口。所述熔丝段接口和所述继电器接口分别与所述熔丝模板连接,所述熔丝段接口与待测芯片连接,所述熔丝模板包括若干个熔丝单元,所述每个熔丝单元是与继电器连接的独立单元且所述每个熔丝单元由继电器进行单独控制,所述继电器接口连接晶圆测试平台的继电器控制位,所述继电器接口采用34PIN牛角座。
所述熔丝段接口通过排线与需要熔丝修调的芯片的熔丝段进行连接。
所述熔丝模板包括64个熔丝单元。
所述64个熔丝单元分四组相互平行设置。
本实用新型带来的有益效果:本实用新型提供的基于晶圆测试的熔丝板,带熔丝的产品都可以用该熔丝板进行熔丝,每个产品熔丝的管脚通过熔丝段接口接到熔丝板,测试平台的继电器控制位通过继电器接口进行控制,每个产品通过测试程序中继电器控制位可以方便实现不同产品的熔丝,省去每个产品单独进行焊线和焊接继电器及熔丝电容,同时节省时间和成本,提高了测试效率。
附图说明
图1是根据本实用新型实施例的基于晶圆测试的熔丝板的电路原理框图。
其中,1-熔丝段接口,2-熔丝模板,3-继电器接口。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,以下结合附图及具体实施例,对本实用新型作进一步地详细说明。
图1是根据本实用新型实施例的基于晶圆测试的熔丝板的电路原理框图。本实用新型提供一种基于晶圆测试的熔丝板,包括熔丝段接口1、熔丝模板2、继电器接口3。所述熔丝段接口1和所述继电器接口3分别与所述熔丝模板2连接,所述熔丝段接口1与待测芯片连接,所述熔丝模板2包括若干个熔丝单元,所述每个熔丝单元是与继电器连接的独立单元且所述每个熔丝单元由继电器进行单独控制,所述继电器接口3连接晶圆测试平台的继电器控制位,所述继电器接口3采用34PIN牛角座。
在本实施例中,所述熔丝段接口1通过排线与需要熔丝修调的芯片的熔丝段进行连接,所述熔丝模板2包括64个熔丝单元,所述64个熔丝单元分四组相互平行设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造