[实用新型]一种抗辐照VDMOS管单粒子性能测试装置有效
| 申请号: | 201820437607.X | 申请日: | 2018-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN208547690U | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
| 发明(设计)人: | 宋吉昌;尹春阳;刘广海 | 申请(专利权)人: | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
| 代理公司: | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人: | 张婧 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 加热器 测试平台 待测器件 单粒子 性能测试装置 本实用新型 温度控制器 辐照 粒子冲击 发生器 加热 粒子束 电气元件测试 设备技术领域 测试插座 测试装置 高温状态 抗单粒子 温升 预设 正对 航天 | ||
本实用新型实施例涉及电气元件测试设备技术领域,公开了一种航天用抗辐照VDMOS管单粒子性能测试装置,包括:测试平台、固定在所述测试平台上以用于固定待测器件的测试插座,以及用于产生粒子束的粒子冲击发生器,还包括用于加热待测器件的加热器、以及与所述加热器连接的温度控制器,所述加热器固定在所述测试平台上并正对所述粒子冲击发生器设置,所述温度控制器控制所述加热器加热以控制所述待测器件保持预设温度。本实用新型提供的MOS管测试装置,并完成在高温状态下的MOS管单粒子实验,所获得的数据使得MOS管测试结果更加全面、准确模拟MOS管在工作中,产生温升情况下的抗单粒子冲击能力。
技术领域
本发明实施例涉及电气元件测试设备技术领域,特别涉及一种抗辐照VDMOS管单粒子性能测试装置。
背景技术
VDMOS(垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)产品是各类开关电源的核心器件,通过VDMOS的在高频状态下的开关转换,完成电能从输入到输出的转换,为用电设备提供所需的电能。而航天用的VDMOS产品由于在太空环境中工作,会受到包括太阳风、伽马射线等辐射和粒子冲击,会损伤器件,影响到整个航天电源的安全使用状态,因此需要使用具有抗辐照能力的VDMOS产品。在抗辐照VDMOS的研发、生产及测试过程中,需要通过地面模拟方式,进行VDMOS产品的抗辐照能力测试,其中单粒子实验是关键一项。目前,进行VDMOS单粒子性能的测试方式有两种:整机应用系统测试和分立器件级单管测试。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:整机应用系统测试成本高昂、且无法直接测试VDMOS的参数,而分立器件级单管测试虽然成本较低、且能够直接测试VDMOS器件的参数,但由于不是在VDMOS工作状态下进行的测试,因此测试结果不充分,不能准确模拟测试VDMOS 在实际工作中的单粒子性能和参数变化情况。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种抗辐照VDMOS管单粒子性能测试装置,使得测试结果更加准确的模拟VDMOS在实际应用中的工作状态,直接测试模拟VDMOS在实际工作时,产生温升情况下的VDMOS高温参数数据。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种抗辐照VDMOS管单粒子性能测试装置,包括:测试平台、固定在所述测试平台上以用于固定待测器件的测试插座,以及用于产生粒子束的粒子冲击发生器,还包括用于加热待测器件的加热器、以及与所述加热器连接的温度控制器,所述加热器固定在所述测试平台上并正对所述粒子冲击发生器设置,所述温度控制器控制所述加热器加热以控制所述待测器件保持预设温度。
本发明实施方式相对于现有技术而言,通过设置用于加热待测器件的加热器,使得待测的VDMOS管可以在测试过程中被加热到预期的工作温度,并通过设置温度控制器来控制加热器,以在测试过程中保持待测的VDMOS管能够保持在预期的工作温度上,使得测试条件更加贴合实际应用场景,从而使得测试结果更加准确的模拟VDMOS在实际应用中的工作状态,直接测试模拟VDMOS在实际工作时,产生温升情况下的VDMOS高温参数数据。
另外,还包括固定在所述测试平台上的底板,所述底板支撑所述加热器,所述加热器经由所述底板固定在所述测试平台上。如此设置,能够简单、方便的固定所述加热器。
另外,所述底板上设置有安装孔,所述底板经由贯穿过所述安装孔的螺钉固定在所述测试平台上。如此设置,能够简单、方便的将所述底板固定在所述测试平台上。
另外,还包括设置在所述底板与所述加热器之间的弹性件,所述底板经由所述弹性件弹性支撑所述加热器。如此设置,使得所述加热器能够更好的与所述待测器件贴合,有利于加热器对所述待测器件的加热。
另外,所述弹性件为弹簧。如此设置,结构简单、具有成本优势。
另外,还包括用于检测所述待测件参数的测试仪,所述测试仪与所述测试插座电连接。
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