[实用新型]图像传感器像素单元

权利要求书

1.一种图像传感器像素单元，包括：

光电二极管，所述光电二极管被配置为响应于光而生成图像信号；

浮动扩散区；

第一电荷存储结构，耦接到光电二极管与浮动扩散区之间的第一路径；以及

第二电荷存储结构，耦接到光电二极管与浮动扩散区之间的第二路径，其中第一路径和第二路径是光电二极管与浮动扩散区之间的平行路径。

2.根据权利要求1所述的图像传感器像素单元，还包括：

晶体管，所述晶体管耦接在所述光电二极管与所述第一电荷存储结构之间；以及

至少一个附加晶体管，所述至少一个附加晶体管耦接在所述第一电荷存储结构与浮动扩散区之间。

3.根据权利要求2所述的图像传感器像素单元，还包括：

第一转移晶体管，所述第一转移晶体管耦接在所述光电二极管与所述第二电荷存储结构之间；以及

第二转移晶体管，所述第二转移晶体管耦接在所述第二电荷存储结构与浮动扩散区之间。

4.根据权利要求2所述的图像传感器像素单元，其中所述晶体管被配置为设置溢流电荷势垒，并且所述第一电荷存储结构被配置为接收由溢流电荷势垒确定的图像信号的一部分。

5.根据权利要求4所述的图像传感器像素单元，其中所述第一电荷存储结构包括电容器，所述图像信号的一部分包括低增益信号，并且所述至少一个附加晶体管被配置为将低增益信号从电容器转移至浮动扩散区。

6.根据权利要求2所述的图像传感器像素单元，还包括：

重置晶体管，其中所述重置晶体管和所述至少一个附加晶体管耦接在电压源和浮动扩散区之间；以及

连接晶体管，其中所述连接晶体管和所述至少一个附加晶体管耦接在所述第一电荷存储结构和浮动扩散区之间。

7.根据权利要求1所述的图像传感器像素单元，还包括：

第三电荷存储结构，耦接到光电二极管与第一电荷存储结构之间以及光电二极管与第二电荷存储结构之间，其中第三电荷存储结构被配置为集成由光电二极管生成的图像信号。

8.一种图像传感器像素单元，包括：

光敏区，所述光敏区被配置为响应于光而在第一集成时间段生成第一组电荷并在第二集成时间段生成第二组电荷；

第一电荷转移晶体管，被配置为将第一组电荷和第二组电荷从所述光敏区转移至电荷存储结构，其中电荷存储结构被配置为将第一组电荷和第二组电荷相加以生成求和的电荷；

第二电荷转移晶体管，被配置为将求和的电荷从电荷存储结构转移至浮动扩散区；以及

附加晶体管，被配置为在第一集成时间段和第二集成时间段之间将光敏区重置为重置电压。

9.根据权利要求8所述的图像传感器像素单元，还包括：

电容器，被配置为经由第二电荷转移晶体管从电荷存储结构接收求和的电荷的一部分。

10.根据权利要求9所述的图像传感器像素单元，

其中所述第二电荷转移晶体管，被配置提供电荷溢流阈值，并且所述电荷溢流阈值被配置为确定由电容器接收的求和的电荷的一部分。