[实用新型]激光模组及激光装置有效

专利信息
申请号: 201820399330.6 申请日: 2018-03-22
公开(公告)号: CN207925889U 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 孙国文;门之鹏 申请(专利权)人: 青岛镭创光电技术有限公司
主分类号: H01S3/10 分类号: H01S3/10
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 王晖
地址: 266000 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 准直镜 激光光源 激光模组 内凹插槽 支架 激光装置 支架固定 外壳长度方向 本实用新型 调整区域 固定激光 激光设备 距离可调 一端设置 出射光 触碰 光路 向内 光源 延伸 污染
【权利要求书】:

1.一种激光模组,其特征在于,包括:外壳、支架、激光光源和准直镜,所述准直镜固定在所述外壳的一端;

所述支架用于固定激光光源,所述外壳的另一端设置有沿所述外壳长度方向向内延伸的内凹插槽,所述支架固定在所述内凹插槽内;所述内凹插槽用于向所述支架提供调整区域,以使所述支架固定前所述激光光源到所述准直镜之间的距离可调。

2.根据权利要求1所述的激光模组,其特征在于,所述支架与所述内凹插槽间隙配合。

3.根据权利要求1所述的激光模组,其特征在于,所述内凹插槽上设置有内螺纹,所述支架上对应设置有外螺纹,以使所述支架固定前调整所述激光光源到所述准直镜之间的距离。

4.根据权利要求1所述的激光模组,其特征在于,所述支架与所述外壳胶合。

5.根据权利要求1所述的激光模组,其特征在于,所述激光光源为红光半导体,所述激光模组包括自倍频晶体,所述自倍频晶体为钕掺杂硼酸钙氧钇Nd:YCOB或钕掺杂硼酸钙氧钆Nd:GdCOB,所述自倍频晶体按通光方向切割,切割方向为产生532nm激光的自倍频方向;所述自倍频晶体的厚度为0.5-1.5mm。

6.根据权利要求5所述的激光模组,其特征在于,所述自倍频晶体入射面镀800-850nm波段增透膜、1000-1150nm波段全反膜及500-570nm波段全反膜;

激光自倍频晶体出射面镀800-850nm波段全反膜、1000-1150nm波段全反膜和500-570nm波段高透膜。

7.根据权利要求6所述的激光模组,其特征在于,所述激光光源为半导体光子晶体激光器,且所述半导体光子晶体激光器的快慢轴的发散角均为7.5-12°。

8.根据权利要求7所述的激光模组,其特征在于,所述准直镜、扩束镜和自倍频晶体均与所述外壳胶合。

9.根据权利要求1所述的激光模组,其特征在于,所述外壳为管状结构,所述外壳的长度为10mm,直径为3.7mm。

10.一种激光装置,其特征在于,包括控制开关、电源和权利要求1-9任意一项所述的激光模组。

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