[实用新型]一种发光二极管芯片

说明书

本实用新型公开了一种发光二极管芯片，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、缓冲层、第一P型半导体层、第一多量子阱层、N型半导体层、N型电极、第一P型电极、第二多量子阱层、第二P型半导体层和第二P型电极；缓冲层、第一P型半导体层、第一多量子阱层、N型半导体层、第二多量子阱层、第二P型半导体层依次层叠在衬底上，第二P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的第一凹槽和延伸至第一P型半导体层的第二凹槽，N型电极设置在第一凹槽内的N型半导体层上，第一P型电极设置在第二凹槽内的第一P型半导体层上，第二P型电极设置在第二P型半导体层上。本实用新型可以减小串联电阻，减少发热量，改善发光二极管芯片的性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是利用半导体的PN结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。外延片是发光二极管制备过程中的初级成品，发光二极管芯片包括外延片以及在外延片上制作的电极。

目前氮化镓基LED受到越来越多的关注和研究，其外延片包括衬底以及依次层叠在衬底的第一表面上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层。

LED芯片在P型半导体层上开设延伸至N型半导体层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上，以将电流注入N型半导体层和P型半导体层，使N型半导体层提供的电子和P型半导体层提供的空穴迁移到多量子阱层中复合发光。

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

发光二极管芯片在直流电驱动下工作，但市电为交流电，因此通常采用桥式电路将交流电转换为直流电输出，并在桥式电路的输出端串联多个发光二极管芯片进行使用。多个发光二极管芯片串联在一起时，电阻增加，发热量增大，影响发光二极管芯片的性能。

实用新型内容

为了解决现有技术的问题，本实用新型实施例提供了一种发光二极管芯片。所述技术方案如下：

一方面，本实用新型实施例提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、缓冲层、第一P型半导体层、第一多量子阱层、N型半导体层、N型电极和第一P型电极，所述发光二极管芯片还包括第二多量子阱层、第二P型半导体层和第二P型电极；所述缓冲层、所述第一P型半导体层、所述第一多量子阱层、所述N型半导体层、所述第二多量子阱层、所述第二P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述第二P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽和延伸至所述第一P型半导体层的第二凹槽，所述N型电极设置在所述第一凹槽内的N型半导体层上，所述第一P型电极设置在所述第二凹槽内的第一P型半导体层上，所述第二P型电极设置在所述第二P型半导体层上。

可选地，所述发光二极管芯片还包括第一电子阻挡层和第二电子阻挡层，所述第一电子阻挡层设置在所述第一P型半导体层和所述第一多量子阱层之间，所述第二电子阻挡层设置在所述第二P型半导体层和所述第二多量子阱层之间。

可选地，所述第一凹槽的侧壁和所述第二凹槽的侧壁设有钝化保护层。

优选地，所述第一凹槽的侧壁与所述第一凹槽的底面之间的夹角为120°～150°，所述第二凹槽的侧壁与所述第二凹槽的底面之间的夹角为120°～150°。

可选地，所述第一凹槽的槽口宽度为45μm～75μm，所述第二凹槽的槽口宽度为45μm～75μm。