[实用新型]一种太阳能电池的正面电极结构有效
| 申请号: | 201820396939.8 | 申请日: | 2018-03-22 |
| 公开(公告)号: | CN208000924U | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
| 发明(设计)人: | 卢刚;郑璐;钱俊;杨振英;杨勇洲 | 申请(专利权)人: | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;黄河水电光伏产业技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
| 地址: | 810007 青海省西*** | 国省代码: | 青海;63 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 副栅线 细栅线 太阳能电池 正面电极结构 电池本体 电连接 连接栅 本实用新型 菱形 方向间隔 正面电极 电池本体表面 电流收集效率 边框区域 电流收集 发光效率 透光区域 可透光 减小 遮光 首尾 | ||
本实用新型公开了一种太阳能电池的正面电极结构,包括电池本体和设于电池本体表面的正面电极,正面电极包括沿第一方向间隔设置的若干对副栅线和沿第二方向间隔设置的N条细栅线,细栅线与若干对副栅线电连接;每一条细栅线包括若干根依次首尾电连接的菱形细栅线,每根菱形细栅线的非边框区域为透光区域,每对副栅线之间均设有连接栅线,且连接栅线与副栅线电连接,其中N为大于2的整数。本实用新型提供了一种太阳能电池的正面电极结构,通过在每对副栅线之间设置多条连接栅线,提高对电池本体的电流收集效率,另外通过设置多条可透光的细栅线,在对副栅线进行电流收集的同时减小了对电池本体的遮光面积,提高了太阳能电池的发光效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域,更具体地说,涉及一种太阳能电池的正面电极结构。
背景技术
常规太阳电池的正面电极有3根1.5mm左右宽的主栅线,与焊带进行焊接后对电池正面的遮光面积占电池总面积的3.5%左右。为减少栅线对电池表面的遮挡,无主栅电池技术成为研究的热点。现今的无主栅电池是去除太阳电池正面的三根主栅线,使用极细的焊带直接与副栅线进行连接的技术。在焊带与副栅线的连接过程中,焊带与副栅线的接触点小、副栅线过低等都会造成虚焊或无法焊接的异常情况,使光伏组件的功率降低。在细栅线上设计小长方形可以增强焊接的特性,降低虚焊或无法焊接的风险,但设计过多的小长方形会增加正面的遮光面积,增加正面银浆的使用量。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术的不足,提供一种可提减小遮光面积并提高电流收集效率的太阳能电池的正面电极结构。
为了实现上述的目的,本实用新型采用了如下的技术方案:
一种太阳能电池的正面电极结构,包括电池本体和设于所述电池本体表面的正面电极,所述正面电极包括沿第一方向间隔设置的若干对副栅线和沿第二方向间隔设置的N条细栅线,所述细栅线与所述若干对副栅线电连接;每一条所述细栅线包括若干根依次首尾电连接的菱形细栅线,每根所述菱形细栅线的非边框区域为透光区域,每对所述副栅线之间均设有连接栅线,且所述连接栅线与所述副栅线电连接,其中N为大于2的整数。
优选地,每对所述副栅线之间设有的连接栅线数量为N-1个,相邻两条所述细栅线之间分别设有每对所述副栅线的所述N-1个连接栅线中的一个。
优选地,所述若干对副栅线沿所述第一方向等间距设置,所述N条细栅线沿所述第二方向等间距设置,且所述第一方向与所述第二方向垂直。
优选地,所述连接栅线垂直于所述副栅线,且所述连接栅线的长度等于一对所述副栅线之间的距离。
优选地,位于相邻两条所述细栅线之间的所有所述连接栅线均位于相邻两条所述细栅线的中心位置上。
优选地,所述细栅线上设有若干个焊接触点,所述若干个焊接触点分别位于相邻两个所述菱形细栅线的交叉处,且所述若干个焊接触点分别与所述细栅线电连接。
优选地,所述焊接触点的形状为矩形。
优选地,所述焊接触点的长度范围为0.8mm至1mm,所述焊接触点的宽度范围为0.2mm至0.4mm。
优选地,所述焊接触点的形状为正方形,所述焊接触点的边长范围为0.2mm至1mm。
优选地,N=4~16。
本实用新型提供了一种太阳能电池的正面电极结构,通过在每对副栅线之间设置多条连接栅线,提高对电池本体的电流收集效率,另外通过设置多条可透光的细栅线,在对副栅线进行电流收集的同时减小了对电池本体的遮光面积,提高了太阳能电池的发光效率。
附图说明
图1本实用新型实施例的太阳能电池的正面电极结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





