[实用新型]阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201820396778.2 | 申请日: | 2018-03-22 |
公开(公告)号: | CN207896092U | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 龙春平 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/60 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列基板 衬底基板 导电电极 目标信号 本实用新型 显示装置 信号线 正投影 静电防护功能 静电防护器件 导电结构 显示面板 窄边框 绝缘 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:衬底基板,以及设置在所述衬底基板上的多条信号线;
所述多条信号线中存在至少一条目标信号线,所述目标信号线的两侧中的至少一侧设置有导电电极;
所述导电电极与所述阵列基板中的其他导电结构均绝缘,且所述导电电极在所述衬底基板上的正投影与所述目标信号线在所述衬底基板上的正投影重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电电极与所述目标信号线之间设置有绝缘层;
所述导电电极设置在所述目标信号线靠近或远离所述衬底基板的一侧。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电电极包括多个间隔设置的电极块,每个所述电极块的宽度大于所述目标信号线的线宽。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,
多个所述电极块沿所述目标信号线的延伸方向等间距排列。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
每两个相邻的电极块之间的间隙的宽度范围为5微米至50微米;
每个所述电极块的长度范围为10微米至50微米;
每个所述电极块的宽度范围为5微米至50微米。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电电极为条状电极,所述条状电极的延伸方向与所述目标信号线的延伸方向平行,且所述导电电极的宽度大于所述目标信号线的线宽。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电电极在所述衬底基板上的正投影呈蛇形,所述蛇形的外包矩形的宽度大于所述目标信号线的线宽。
8.根据权利要求1至7任一所述的阵列基板,其特征在于,所述导电电极沿第一方向延伸的轴线在所述衬底基板上的正投影,与所述目标信号线的轴线在所述衬底基板上的正投影重合;
其中,所述第一方向与所述目标信号线的延伸方向平行。
9.根据权利要求1至7任一所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管;
所述目标信号线为栅线或者栅线引线,所述导电电极与所述薄膜晶体管的源漏极金属层、有源层、或者遮光金属层同层设置,且所述导电电极与同层设置的导电结构采用同种材料制成。
10.根据权利要求1至7任一所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管;
所述目标信号线为数据线或者数据线引线,所述导电电极与所述薄膜晶体管的栅极金属层同层设置,且所述导电电极采用与所述栅极金属层相同的材料制成。
11.根据权利要求1至7任一所述的所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管,所述导电电极与所述薄膜晶体管的有源层同层设置;
当所述薄膜晶体管为非晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管时,所述导电电极的厚度范围为100纳米至500纳米;
当所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管时,所述导电电极的厚度范围为10纳米至100纳米。
12.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:
如权利要求1至11任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的