[实用新型]一种无主栅线的太阳能电池有效
| 申请号: | 201820396309.0 | 申请日: | 2018-03-22 |
| 公开(公告)号: | CN208000923U | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
| 发明(设计)人: | 钱俊;杨振英;郑璐;张敏;魏玲玲 | 申请(专利权)人: | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;黄河水电光伏产业技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
| 地址: | 810007 青海省西*** | 国省代码: | 青海;63 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 细栅线 焊接触点 太阳能电池 电连接 副栅线 栅线 本实用新型 菱形 方向间隔 正面电极 焊接 电池本体表面 电池本体 电流传输 电流收集 发电功率 光伏组件 交叉处 首尾 外部 | ||
本实用新型公开了一种无主栅线的太阳能电池,包括电池本体和设置于所述电池本体表面的正面电极,所述正面电极包括沿第一方向间隔设置的若干条副栅线和沿第二方向间隔设置的多条细栅线,所述细栅线与所述副栅线电连接;每一条所述细栅线包括若干依次首尾电连接的菱形细栅线,每一条所述细栅线上的相邻两个所述菱形细栅线的交叉处均设有焊接触点,且所述焊接触点与所述细栅线电连接。本实用新型公开了一种无主栅线的太阳能电池,通过设置多条细栅线对副栅线进行电流收集,通过在细栅线上设置多个间隔焊接触点,焊接触点可与外部的焊接稳定焊接,提高了电流传输的稳定性,从而提高光伏组件的发电功率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域,更具体地说,涉及一种无主栅线的太阳能电池。
背景技术
常规太阳电池的正面电极有3根1.5mm左右宽的主栅线,与焊带进行焊接后对电池正面的遮光面积占电池总面积的3.5%左右。为减少栅线对电池表面的遮挡,无主栅电池技术成为研究的热点。现今的无主栅电池是去除太阳电池正面的三根主栅线,使用极细的焊带直接与副栅线进行连接的技术。在焊带与副栅线的连接过程中,焊带与副栅线的接触点小、副栅线过低等都会造成虚焊或无法焊接的异常情况,使光伏组件的功率降低。虽然通过直接焊接极细的焊带可以减小遮光面积,但是很难保证焊带与副栅线的良好接触,不利于电流的收集。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术的不足,提供一种可保证焊带与副栅线稳定焊接的无主栅线的太阳能电池。
为了实现上述的目的,本实用新型采用了如下的技术方案:
一种无主栅线的太阳能电池,包括电池本体和设置于所述电池本体表面的正面电极,所述正面电极包括沿第一方向间隔设置的若干条副栅线和沿第二方向间隔设置的多条细栅线,所述细栅线与所述副栅线电连接;每一条所述细栅线包括若干依次首尾电连接的菱形细栅线,每一条所述细栅线上的相邻两个所述菱形细栅线的交叉处均设有焊接触点,且所述焊接触点与所述细栅线电连接。
优选地,所述若干条副栅线沿所述第一方向平行间隔设置,且相邻两条所述副栅线的距离均相等,所述多条细栅线沿所述第二方向等间距设置,且所述第一方向与所述第二方向垂直。
优选地,所述焊接触点的形状为矩形。
优选地,所述焊接触点的长度范围为0.8mm至1mm,所述焊接触点的宽度范围为0.2mm至0.4mm。
优选地,所述焊接触点的形状为正方形,所述焊接触点的边长范围为0.2mm至1mm。
优选地,每个所述菱形细栅线为镂空结构,所述副栅线位于所述菱形细栅线外,且所述副栅线连接于所述菱形细栅线的边框上。
优选地,所述细栅线的数量为4条至20条。
优选地,所述细栅线的数量为15条,相邻两条所述细栅线的间距为10mm。
本实用新型公开了一种无主栅线的太阳能电池,通过设置多条细栅线对副栅线进行电流收集,通过在细栅线上设置多个间隔焊接触点,焊接触点可与外部的焊接稳定焊接,提高了电流传输的稳定性,从而提高光伏组件的发电功率。
附图说明
图1本实用新型实施例的无主栅线的太阳能电池示意图。
图2本实用新型实施例的无主栅线的太阳能电池局部放大图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
下面采用几个具体实施例对本实用新型的技术方案进行详细说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





