[实用新型]阵列基板及显示装置有效
| 申请号: | 201820395453.2 | 申请日: | 2018-03-22 |
| 公开(公告)号: | CN207896091U | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
| 发明(设计)人: | 龙春平 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/60 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 连接电极 衬底基板 阵列基板 导电电极 信号线 本实用新型 显示装置 正投影 绝缘 静电防护功能 静电防护器件 第二信号 显示面板 窄边框 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:衬底基板,以及设置在所述衬底基板上的多条信号线;
两条相邻的信号线中,第一信号线与第一连接电极连接,第二信号线与第二连接电极连接,所述第一连接电极与所述第二连接电极绝缘;
所述衬底基板上还设置有导电电极,所述导电电极与所述信号线之间设置有绝缘层,且所述导电电极与每个连接电极均绝缘,所述导电电极在所述衬底基板上的正投影分别与所述第一连接电极和所述第二连接电极在所述衬底基板上的正投影重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述多条信号线中,每条信号线均连接有连接电极,所述导电电极在衬底基板上的正投影分别与每个连接电极在所述衬底基板上的正投影重叠。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一信号线与所述第一连接电极为同层设置的一体结构,且所述第一连接电极位于所述第一信号线靠近所述二信号线的一侧;
所述第二信号线与所述第二连接电极为同层设置的一体结构,且所述第二连接电极位于所述第二信号线靠近所述一信号线的一侧。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述多条信号线为栅线,所述衬底基板上还设置有薄膜晶体管TFT;
所述导电电极与所述TFT的有源层、源漏极金属层或者遮光金属层同层设置,且所述导电电极与同层设置的导电结构采用同种材料制成。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:与多条栅线交叉设置的多条数据线;
所述多条栅线中,与驱动TFT连接的栅线均连接有连接电极,且各条栅线所连接的连接电极均位于相邻的第一数据线和第二数据线之间;
其中,所述第一数据线与一列虚设TFT连接,所述第二数据线与一列驱动TFT连接,所述第二数据线相对于所述第一数据线靠近所述阵列基板上的其他各列数据线,所述驱动TFT与像素电极连接,所述虚设TFT未连接像素电极。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述相邻的第一数据线和第二数据线与所述多条栅线围成一列虚设像素;
每相邻两条栅线所连接的第一连接电极和第二连接电极位于一个虚设像素的像素区域内;
所述导电电极包括多个间隔设置的电极块,每个电极块位于一个虚设像素的像素区域内,且所述电极块在所述衬底基板上的正投影与所述像素区域内设置的连接电极在所述衬底基板上的正投影重叠。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,
每个所述电极块与阵列基板中的其他导电结构均绝缘;
或者,每个虚设像素的虚设TFT的有源层与其像素区域内设置的电极块为一体结构。
8.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一数据线与所述第二数据线之间还设置有第三数据线,所述第一数据线远离所述第二数据线的一侧还设置有第四数据线;
所述第三数据线和所述第四数据线分别与一列虚设TFT连接。
9.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述导电电极为条状电极,所述条状电极在衬底基板上的正投影与每个连接电极在所述衬底基板上的正投影均重叠。
10.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述多条信号线为数据线,所述衬底基板上还设置有薄膜晶体管;
所述导电电极与所述薄膜晶体管的栅极金属层同层设置,且所述导电电极采用与所述栅极金属层相同的材料制成。
11.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一信号线通过第一接触过孔与所述第一连接电极连接,所述第二信号线通过第二接触过孔与所述第二连接电极连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





