[实用新型]阵列基板及显示装置有效
| 申请号: | 201820393212.4 | 申请日: | 2018-03-22 |
| 公开(公告)号: | CN207896090U | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
| 发明(设计)人: | 龙春平;乔勇;马永达 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/60;H01L23/552 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列基板 本实用新型 第二信号 显示装置 导电衬垫 静电损伤 同层设置 线交叉 信号线 串扰 同层 异层 平行 | ||
本实用新型提供一种阵列基板及显示装置,该阵列基板包括相互平行的多条第一信号线,以及与第一信号线交叉的第二信号线,且第二信号线与第一信号线异层设置,在相邻的两条第一信号线之间,与第一信号线同层设置有独立的导电衬垫。本实用新型提供的阵列基板,其能够解决在阵列基板上发生静电损伤及同层的相邻两条信号线之间会存在串扰的问题。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体地,涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
显示装置已被广泛地应用于手机、笔记本电脑、个人电脑及个人数字助理等的消费电子产品的显示屏幕。显示装置在制造过程或者使用过程中可能受到静电损害。
显示装置通常包括阵列基板和彩膜基板,在阵列基板的制造过程中,由于等离子体沉积、刻蚀和摩擦等的工艺容易产生静电积累,或者在使用过程中产生静电,导致在阵列基板上发生静电损伤,从而产生不良。并且,对于同层的多条信号线(例如栅线)来说,相邻的两条信号线之间会存在串扰问题。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种阵列基板及显示装置,其能够解决在阵列基板上发生静电损伤及同层的相邻两条信号线之间会存在串扰的问题。
为实现本实用新型的目的而提供一种阵列基板,包括相互平行的多条第一信号线,以及与所述第一信号线交叉的第二信号线,且所述第二信号线与所述第一信号线异层设置,在相邻的两条所述第一信号线之间,与所述第一信号线同层设置有独立的导电衬垫。
可选的,每个所述导电衬垫通过过孔与一条所述第二信号线电连接。
可选的,所述过孔在所述第一信号线的延伸方向上的尺寸大于在垂直于所述第一信号线的延伸方向上的尺寸;
所述过孔在所述第一信号线的延伸方向上的尺寸大于等于2微米,且小于等于100微米;所述过孔在垂直于所述第一信号线的延伸方向上的尺寸大于2微米,且小于等于30微米。
可选的,所述导电衬垫在所述第一信号线的延伸方向上的尺寸大于在垂直于所述第一信号线的延伸方向上的尺寸。
可选的,所述导电衬垫在所述第一信号线的延伸方向上的尺寸大于等于2微米,且小于等于100微米;所述导电衬垫在垂直于所述第一信号线的延伸方向上的尺寸大于2微米,且小于等于30微米。
可选的,在所述第二信号线的与每条所述第一信号线相交叉的位置处设置有镂空部。
可选的,在所述第二信号线的与每条所述第一信号线的每个相交叉位置处,所述镂空部为多个,且多个所述镂空部沿所述第一信号线的延伸方向间隔分布。
可选的,所述阵列基板还包括衬底基板和绝缘层,其中,
所述第一信号线和所述导电衬垫设置在所述衬底基板上;
所述绝缘层设置在所述衬底基板上,且覆盖所述第一信号线和所述导电衬垫;所述第二信号线设置在所述绝缘层上。
可选的,在所述衬底基板所在平面上,所述第二信号线的正投影完全覆盖所述导电衬垫的正投影。
可选的,在所述衬底基板所在平面上,所述过孔的正投影完全覆盖所述导电衬垫的正投影,且所述过孔的正投影面积大于或者等于所述导电衬垫的正投影面积。
可选的,所述第一信号线为栅线;所述第二信号线为公共电极线。
可选的,所述第二信号线与数据线同层设置。
作为另一个技术方案,本实用新型还提供一种显示装置,其包括本实用新型提供的上述阵列基板。
本实用新型具有以下有益效果:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820393212.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种碳化硅门极可关断晶闸管GTO的器件阵列
- 下一篇:阵列基板及显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





