[实用新型]相变存储器有效
| 申请号： | 201820370713.0 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN208256729U | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | P·莫林;M·哈蒙德;P·祖里亚尼 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电过孔 相变存储器 电阻元件 上端部 相变材料层 金属材料 绝缘材料 外围边缘 延伸 | ||
1.一种相变存储器，其特征在于，包括：
L形电阻元件，其中所述电阻元件的第一部分在相变材料层与导电过孔的上端部之间延伸，并且其中所述电阻元件的第二部分至少部分地位于所述导电过孔的所述上端部上；以及
绝缘体，围绕所述导电过孔的上部，其中所述绝缘体由不可能与所述电阻元件反应的材料制成。
2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述绝缘体的材料是氮化硅。
3.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述相变材料是包括锗、锑和碲的合金。
4.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述导电过孔具有小于35nm的直径。
5.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述电阻元件由氮化钛制成。
6.一种相变存储器，其特征在于，包括：
金属电阻元件，具有第一部分和第二部分，所述第一部分在相变材料层的底表面与导电过孔的上端部之间延伸，所述第二部分在所述导电过孔的所述上端部上延伸并且进一步延伸出所述导电过孔的外围边缘；以及
氮化物绝缘体，围绕所述导电过孔的上部并且定位成与延伸出所述导电过孔的外围边缘的所述电阻元件的所述第二部分的底表面接触。
7.根据权利要求6所述的相变存储器，其特征在于，所述氮化物绝缘体是氮化硅。
8.根据权利要求6所述的相变存储器，其特征在于，所述相变材料是包括锗、锑和碲的合金。
9.根据权利要求6所述的相变存储器，其特征在于，所述导电过孔具有小于35nm的直径。
10.根据权利要求6所述的相变存储器，其特征在于，所述金属电阻元件由氮化钛制成。
11.根据权利要求6所述的相变存储器，其特征在于，所述金属电阻元件具有L形状，其中所述第一部分形成所述L形状的一个腿部，并且所述第二部分形成所述L形状的另一腿部。
12.根据权利要求6所述的相变存储器，其特征在于，所述第二部分由于制造未对准误差而进一步延伸出所述导电过孔的外围边缘。
13.根据权利要求6所述的相变存储器，其特征在于，还包括由氮化物材料制成的间隔物，所述间隔物位于所述电阻元件的所述第二部分的顶表面上。
14.根据权利要求6所述的相变存储器，其特征在于，还包括附加氮化物材料，所述附加氮化物材料位于所述电阻元件的第二部分的顶表面上和所述电阻元件的所述第二部分的端部处。
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