[实用新型]控制超高频近场RFID系统的标签识别范围的结构

说明书

本实用新型涉及一种控制超高频近场RFID系统的标签识别范围的结构。所述制超高频近场RFID系统的标签识别范围的结构包括半波长导体，以及非近场天线或非近场天线的组合，所述非近场天线或非近场天线的组合用于连接超高频RFID阅读器作为馈源，所述馈源用于激发所述半波长导体，以于所述半波长导体的周围形成超高频RFID系统的有效识别范围，所述有效识别范围用于识别超高频近场RFID标签。所述控制超高频近场RFID系统的标签识别范围的结构能够较为精准地控制电子标签的识别范围。

技术领域

本实用新型涉及一种控制超高频近场RFID系统的标签识别范围的结构。

背景技术

物联网的发展日新月异，而作为物联网万物互联基石的超高频RFID(RadioFrequency Identification，射频识别)技术正在从物品的大包装电子标签、托盘电子标签向着单品级电子标签迈进。然而，在实际使用中，超高频RFID单品标签要么漏读、要么误读，总是难以获得令人满意的识别率。这是因为超高频RFID 技术基于电磁场的辐射原理导致的。周围环境会对电磁场的反复进行反射和折射，以及液体和金属对标签天线匹配性能的影响，另外由于电磁场辐射远场中场的衰落规律等因素综合起来造成了整个识读区域内外电磁场强区和盲区的随机性、不确定性、和易扰动性，从而导致漏读和误读问题。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种能够较为精准地控制电子标签的识别范围的控制超高频近场RFID系统的标签识别范围的结构。

一种控制超高频近场RFID系统的标签识别范围的结构，包括半波长导体，以及非近场天线或非近场天线的组合，所述非近场天线或非近场天线的组合用于连接超高频RFID阅读器作为馈源，所述馈源用于激发所述半波长度导体，以于所述半波长导体的周围形成超高频RFID系统的有效识别范围，所述有效识别范围用于识别超高频近场RFID标签。

在其中一个实施方式中，所述非近场天线邻近所述半波长导体设置，以使所述非近场天线的线极化方向与所述半波长导体的长度方向平行，从而于所述半波长导体周围形成所述有效识别范围。

在其中一个实施方式中，所述半波长导体为半波长直导体，所述半波长直导体的长度方向与所述非近场天线的线极化方向平行。

在其中一个实施方式中，所述半波长导体包括半波长蜿蜒线导体。

在其中一个实施方式中，所述半波长蜿蜒线导体构成正方形区域，所述半波长导体的长度方向为所述正方形区域的对角线方向。

在其中一个实施方式中，所述半波长导体由多个所述半波长蜿蜒线导体拼接而成。

在其中一个实施方式中，所述半波长导体为多个所述半波长蜿蜒线导体拼接而成的正方形导体。

在其中一个实施方式中，所述多个半波长蜿蜒线导体的长度方向均互相平行，每个所述半波长蜿蜒线导体旋转90度后与邻接的任一个所述半波长蜿蜒线导体均镜像对称设置。

在其中一个实施方式中，所述非近场天线为半波长偶极子天线，所述正方形导体的边长为82毫米。

在其中一个实施方式中，所述近场标签识别区域为矩形区域。

本实用新型直接使用非近场天线作为馈源，由于空间中占绝对主导位置的是电磁远场，所以除了在非近场天线附近几个毫米的极小区域外，其它位置均无法识别超高频近场RFID标签，然后，本实用新型以半波长导体来构建所需的超高频RFID系统的有效识别范围，从而达到精确控制近场标签识别范围、在识别范围内避免盲区和标签漏读、以及突破近场天线的识读范围限制的目的。

附图说明

图1A及图1B为普通的近场电子标签的平面示意图。

图2为半波长直线导体中的电流与波长的曲线图。