[实用新型]一种降低晶圆研磨正面损伤的制具有效
| 申请号： | 201820361197.5 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN208173556U | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市双流区中国（四川）自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 本实用新型 研磨 制具 损伤 减薄抛光 晶圆加工 晶圆正面 无效区域 有效区域 粘接剂 粘结剂 适配 粘接 填充 容纳 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，其特征在于，包括制具体，所述制具体上设置有填充粘接剂放置晶圆用的第一凹槽，所述制具体第一凹槽槽底设置有容纳晶圆有效区域用的第二凹槽。
2.根据权利要求1所述一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，其特征在于，所述第二凹槽设置于第一凹槽槽底中心位置。
3.根据权利要求2所述一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，其特征在于，所述第一凹槽的宽度比晶圆直径≥0.5～2mm。
4.根据权利要求3所述一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，其特征在于，所述第二凹槽的宽度比晶圆直径≤0.5～2mm。
5.根据权利要求4所述一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，其特征在于，所述第二凹槽的高度为5～20um。
6.根据权利要求5所述一种降低晶圆研磨正面损伤的制具，其特征在于，所述第一凹槽的高度为20～50um。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
