[实用新型]一种芯片双层冲水篮有效
申请号: | 201820355193.6 | 申请日: | 2018-03-15 |
公开(公告)号: | CN207966924U | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 邓仁亮;薛正群;苏辉;吴林福生;杨重英;黄章挺;李敬波;高家敏 | 申请(专利权)人: | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B08B13/00 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊;郭东亮 |
地址: | 350003 福建省福州市鼓楼*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 上层板 下层板 冲水 芯片 围栏 本实用新型 连接为一体 过水孔 排水槽 提拉杆 周部 | ||
1.一种芯片双层冲水篮,其特征在于:包括上层板与下层板,所述上层板与下层板之间经若干根立柱连接为一体,所述上层板与下层板上均开设有若干个过水孔,所述上层板的周部设有围栏,所述围栏上设有排水槽,所述上层板上设有提拉杆。
2.根据权利要求1所述的芯片双层冲水篮,其特征在于:所述上层板与下层板均水平设置,所述上层板与下层板的形状均为圆形。
3.根据权利要求1所述的芯片双层冲水篮,其特征在于:若干根立柱圆周均布在上层板与下层板的端面圆周边缘,若干根立柱的上端面与上层板的下端面固连,若干根立柱的下端面与下层板的上端面固连。
4.根据权利要求1所述的芯片双层冲水篮,其特征在于:所述围栏的形状与上层板的形状相适应,所述排水槽的槽底与上层板的上端面齐平,所述排水槽的槽顶贯穿围栏。
5.根据权利要求1所述的芯片双层冲水篮,其特征在于:所述提拉杆竖直延伸,所述提拉杆的底端螺接在围栏上。
6.根据权利要求1所述的芯片双层冲水篮,其特征在于:所述立柱的数量为四根,所述排水槽的数量为四个。
7.根据权利要求1所述的芯片双层冲水篮,其特征在于:所述上层板的顶部设有缓冲板,所述缓冲板上设有滤网,所述缓冲板的形状与上层板的形状相适应,所述缓冲板的边缘铰接在提拉杆上进行旋转调节。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建中科光芯光电科技有限公司,未经福建中科光芯光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820355193.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶元处理设备的排气装置
- 下一篇:一种半导体器件的清洗装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造