[实用新型]一种抗磁闪烁探测器探头有效
申请号: | 201820297250.X | 申请日: | 2018-03-05 |
公开(公告)号: | CN208110053U | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 屈春蕾 | 申请(专利权)人: | 无锡通透光电科技有限公司 |
主分类号: | G01T1/202 | 分类号: | G01T1/202 |
代理公司: | 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 | 代理人: | 赵华 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪烁晶体 硅光电倍增管 本实用新型 闪烁探测器 探头 抗磁 表面紧贴 防潮处理 磁屏蔽 分压器 硅酸钇 后端面 锗酸铋 强磁 磁场 | ||
本实用新型提供一种抗磁闪烁探测器探头,包括外壳,外壳内设置有闪烁晶体和硅光电倍增管,闪烁晶体后端面与硅光电倍增管的表面紧贴,闪烁晶体为硅酸钇或锗酸铋中的一种,硅光电倍增管远离闪烁晶体的一侧连接有分压器。本实用新型结构简单,使用方便,适用性强,抗磁场,强磁环境下无需进行磁屏蔽,无需防潮处理。
技术领域
本实用新型主要涉及探测器领域,尤其涉及一种抗磁闪烁探测器探头。
背景技术
各类现有放射源探测器中探测头晶体常用NaI碘化钠或LYSO硅酸钇镥,采用碘化钠,晶体需要用金属,比如铝壳来进行封闭,以及需要防潮处理,因此不能检测金属,适应性小;采用硅酸钇镥,晶体需要用到本底,对于辐监测有一定的限制。此外,常用的放射源探测机中,晶体后采用光电倍增管,但由于光电倍增管没有抗磁的性能,导致无法在强磁环境下使用。
已公开中国实用新型专利,申请号CN200720117331.9,专利名称:用于物位检测的闪烁探测器,申请日:2017.11.2,其公开了一种用于物位检测的闪烁探测器,国内己有的闪烁探测器由于其结构及前端分压电路、放大电路的设计原因,在使用过程中存在一定的欠缺。用于物位检测的闪烁探测器,其组成包括:外壳,所述的外壳内装有闪烁体、固定铝板及通过导线连接的放大整形线路板,所述的闪烁体连接光电倍增管,所述的光电倍增管的光电管座固定在分压线路板上,固定铝板用螺栓与所述的分压线路板固定,所述的放大整形线路板通过探头端子座与壳体盖套固定,所述的壳体盖套连接信号插头、航空插头。本产品适用于做为恶劣环境下物位检测核仪表的探测器。
实用新型内容
本发明目的在于提供一种抗磁闪烁探测器探头,为一种检测放射源的设备,代替现有技术需要磁屏蔽的问题,降低成本,提高效率;
为了达到上述目的,采用以下技术方案,本专利申请包括有:外壳1,所述外壳1内设置有闪烁晶体2和硅光电倍增管3,所述闪烁晶体2后端面与硅光电倍增管3的表面紧贴,所述闪烁晶体2为硅酸钇或锗酸铋中的一种,所述硅光电倍增管3远离闪烁晶体2的一侧连接有分压器4。
优选的,所述闪烁晶体2的形状为立方体或圆柱体。
优选的,所述闪烁晶体2外层裹覆有反射层5。
优选的,所述反射层5采用特氟龙反射层。
优选的,所述闪烁晶体2与硅光电倍增管3接触面上涂覆有光耦合剂6。
优选的,所述闪烁晶体2并列设置有多个。
优选的,所述硅光电倍增管3对应闪烁晶体2并列设置有多个。
本实用新型的有益效果:结构简单,使用方便,适用性强,抗磁场,强磁环境下无需进行磁屏蔽,无需防潮处理。
附图说明
图1为本实用新型的结构图;
图中,
1、外壳;2、闪烁晶体;3、硅光电倍增管;4、分压器;5、反射层;6、光耦合剂。
具体实施方式
如图1所示可知,本实用新型包括有:外壳1,所述外壳1内设置有闪烁晶体2和硅光电倍增管3,所述闪烁晶体2后端面与硅光电倍增管3的表面紧贴,所述闪烁晶体2为硅酸钇或锗酸铋中的一种,所述硅光电倍增管3远离闪烁晶体2的一侧连接有分压器4。
在使用中,当闪烁晶体2检测到放射源的信号,激发出荧光,并被硅光电倍增管3吸收产生光电子,并将光电子倍增后转换成后期电子学仪器能接受的电信号。闪烁晶体2由于采用了硅酸钇或锗酸铋中的一种,无需外部用金属等材质封闭,进行磁屏蔽,一方面节约成本,另一方面,适应性广,可在强磁环境下处理。设置分压器4,对硅光电倍增管的分压电路进行分压涉及,降低闪烁探测器的功耗,提高恢复时间。
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