[实用新型]气体加热装置有效

专利信息
申请号: 201820284580.5 申请日: 2018-02-28
公开(公告)号: CN207975838U 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 苏信瑀;廖志朋 申请(专利权)人: 苏信瑀
主分类号: F24H3/08 分类号: F24H3/08;F24H9/18;F24H9/20;F24H9/02
代理公司: 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 代理人: 黄超;周春发
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 气体加热装置 输气导管 本实用新型 导热 加热器 排气管路 沉积 废气 粉尘 凝结 第一加热器 热能传导 提升气体 硬体设计 螺旋状 排气管 外端部 高热 环设 均温 套筒 加热 传输
【说明书】:

本实用新型揭露一种气体加热装置,其为一种避免排气管路中的废气凝结成粉尘而沉积的气体加热装置,本实用新型气体加热装置包括一外壳、一第一加热器、一导热套筒,以及一输气导管;藉此,本实用新型主要将螺旋状的输气导管环设于加热器外端部的硬体设计,有效以增加输气导管的导热面积的方式,将加热器的热能传导至输气导管内的气体而达成均温与高热的效率,确实达到提升气体加热的安全性、其体传输顺畅且快速,以及避免排气管路中的废气凝结成粉尘而沉积于排气管内部的主要优势。

技术领域

本实用新型是有关于一种气体加热装置,特别是有关于一种避免排气管路中的废气凝结成粉尘而沉积的气体加热装置。

背景技术

按,现行半导体制程中的扩散(Diffusion)和沉积(Deposition)步骤中,必须透过不同的气体在晶圆(Wafer)表面产生反应,藉以形成一层氧化薄膜,由于半导体制程所使用的真空设备在每批晶圆生产过程中皆会伴随废气的排放,而这些废弃在通过真空泵浦之后,会因为废气排气管路的温度降低而形成冷凝现象,使得废气容易凝结为粉尘而沉积在排气管路的内壁上,日积月累下容易造成排气管路内径缩小甚至堵塞,最后导致排气管路的排气量不足而引发工安或卫生等问题,更甚者可能使得排气管路起火而引起火灾与爆炸等危险。

中国台湾新型专利第M550461号的“气体加热器”即被研发以解决上述的问题,该专利主要包含有壳体及设于壳体内的加热器与输气管组,输气管组具有盘管、入气管及出气管,盘管内具有用于容置加热器的容置空间,入气管与出气管分别连通于盘管二端,当气体由入气管进入盘管时,加热器会将热能间接传导至盘管,加热盘管内的气体后,再由出气管排入真空泵浦排气管路内加温废气,避免废气凝结成粉尘沉积,减少清洗排气管路次数及人力消耗;盘管内设有提升气体加热效率的复数支撑片,加热器穿设于复数支撑片上而可快速抽换;出气管设有温度感测计,及依据温度感测计所测的气温调整加热器温度的控制器,以提升安全性;此专利的盘管以相邻的直管以U行连接管连接;然而,此举容易导致欲加热的气体于该盘管内的流速不平均,以及气体的温度导热亦不均匀;此外,该盘管与加热气之间藉由复数个支撑片接触而导热,然,其接触面积仅限于局部,容易使得流动于盘管内的气体导热温度慢而导热效果不佳;因此,如何有效藉由创新的硬体设计,确实达到提升气体加热的安全性、其体传输顺畅且快速,以及避免排气管路中的废气凝结成粉尘而沉积于排气管内部等优势,是半导体的气体加热装置等相关产业的开发业者与相关研究人员需持续努力克服与解决的课题。

实用新型内容

本实用新型所解决的技术问题即在提供一种气体加热装置,其目的在于提供一种避免排气管路中的废气凝结成粉尘而沉积的气体加热装置,主要将螺旋状的输气导管环设于加热器外端部的硬体设计,有效以增加输气导管的导热面积的方式,将加热器的热能传导至输气导管内的气体而达成均温与高热的效率,确实达到提升气体加热的安全性、其体传输顺畅且快速,以及避免排气管路中的废气凝结成粉尘而沉积于排气管内部的主要优势。

本实用新型所采用的技术手段如下所述。

提出一种气体加热装置,至少包括有一外壳、一第一加热器、一导热套筒,以及一输气导管;外壳内部开设有一容置空间,外壳的二端部分别开设有一第一开口与一第二开口,其中第一开口与第二开口与容置空间相互贯通;第一加热器设置于容置空间;导热套筒设置于容置空间且位于第一加热器的外端部;输气导管设置于容置空间且环设于导热套筒与第一加热器的外端部。

在本实用新型的一个实施例中,输气导管包括有一入气端、一出气端,以及一气管。

在本实用新型的一个实施例中,其中气管的二端部分别连接入气端与出气端。

在本实用新型的一个实施例中,气管呈螺旋的态样。

在本实用新型的一个实施例中,输气导管的外端部可进一步设置有一保温件。

在本实用新型的一个实施例中,输气导管的外端部可进一步设置有一第二加热器。

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