[实用新型]一种全彩PMOLED模组有效
申请号: | 201820281681.7 | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN207765450U | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 罗志猛;符运昌;赵云 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 邓义华;陈卫 |
地址: | 516600 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 全彩 金属网格 触摸层 基板 模组 功能层 本实用新型 搭配使用 精度要求 像素网格 性能要求 间隔层 驱动IC 量产 线宽 像素 制程 | ||
本实用新型公开了一种全彩PMOLED模组,包括基板、设置在所述基板的一面上的金属网格触摸层以及设置在所述基板的另一面上的全彩PMOLED功能层,所述金属网格触摸层和所述全彩PMOLED功能层中的像素网格间隔层在空间上相重叠。该全彩PMOLED模组相邻的像素之间的间距较大,搭配使用的金属网格触摸层的线宽较大,对制程精度要求低,对驱动IC的性能要求也低,信噪比较高,量产可行性高。
技术领域
本实用新型涉及平板显示技术,尤其涉及一种全彩PMOLED模组。
背景技术
随着触摸面板技术的发展,传统的ITO材料由于电阻较大,已经不适用于制作大尺寸面板的触摸层,使用电阻较小的金属网格来制作大尺寸面板的触摸层是未来的趋势。
金属网格是不透光的,为避免影响显示效果,需要将其制作在可视区的非发光区域上,即制作在相邻的像素之间,而感应电容又是与金属网格的感应面积是正相关的,金属网格的感应面积越大,触摸感应也越灵敏,对驱动IC的性能要求也相应越低,但是,TFT-LCD或OLED的像素间距非常小,导致搭配使用的金属网格的线宽被限制在5μm或以下,这不仅对制程精度的要求高,对驱动IC的性能要求也高,并且,金属网格在可视区上所占面积小(1%-5%)会导致信噪比(SNR)低。这是金属网格技术的弊端所在、是驱动IC厂商及显示面板厂商需要克服的难题,限制了金属网格技术的量产应用。
实用新型内容
为了解决上述现有技术的不足,本实用新型提供一种全彩PMOLED模组,其相邻的像素之间的间距较大,搭配使用的金属网格触摸层的线宽较大,对制程精度要求低,对驱动IC的性能要求也低,信噪比较高,量产可行性高。
本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
一种全彩PMOLED模组,包括基板、设置在所述基板的一面上的金属网格触摸层以及设置在所述基板的另一面上的全彩PMOLED功能层,所述金属网格触摸层和所述全彩PMOLED功能层中的像素网格间隔层在空间上相重叠。
进一步地,所述金属网格触摸层的线宽不大于所述像素网格间隔层的线宽。
进一步地,所述金属网格触摸层的线宽和所述像素网格间隔层的线宽相同或相近。
进一步地,所述像素网格间隔层的线宽不小于30μm。
进一步地,所述金属网格触摸层采用实现按键触摸功能的金属网格图案,或者,采用实现全触摸功能的金属网格图案。
一种全彩PMOLED模组,包括基板、设置在所述基板一面上的金属网格触摸层、设置在所述金属网格触摸层上的绝缘隔离层、设置在所述绝缘隔离层上的全彩PMOLED功能层,所述金属网格触摸层和所述全彩PMOLED功能层中的像素网格间隔层在空间上相重叠。
进一步地,所述金属网格触摸层的线宽不大于所述像素网格间隔层的线宽。
进一步地,所述金属网格触摸层的线宽和所述像素网格间隔层的线宽相同或相近。
进一步地,所述像素网格间隔层的线宽不小于30μm。
进一步地,所述金属网格触摸层采用实现按键触摸功能的金属网格图案,或者,采用实现全触摸功能的金属网格图案。
本实用新型具有如下有益效果:该全彩PMOLED模组相邻的像素之间的间距较大,用于间隔相邻像素的像素网格间隔层的线宽可以制作得比较大,而搭配使用的金属网格触摸层的线宽也可以相应制作得比较大,不仅对制程精度要求低,其感应面积也相对更大,对驱动IC的性能要求低,信噪比较高,量产可行性高。
附图说明
图1为本实用新型提供的全彩PMOLED模组的示意图;
图2为本实用新型提供的另一全彩PMOLED模组的示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的