[实用新型]USB保护电路有效

专利信息
申请号: 201820281632.3 申请日: 2018-02-28
公开(公告)号: CN207819429U 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 罗里刚;李川 申请(专利权)人: 四川长虹电器股份有限公司
主分类号: H02H3/20 分类号: H02H3/20;H02H9/04
代理公司: 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 代理人: 李凌峰
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 电阻 过压保护芯片 接地 本实用新型 电容 电路 供电电压 过压保护 连接电阻 一端连接 脚连接 热插拔 并联 外接 升高 防护 输出
【权利要求书】:

1.USB保护电路,其特征在于,包括过压保护芯片、电阻一、电阻二、电阻三和电容一,所述过压保护芯片的VIN脚连接电阻二的一端和USB输入电源,电阻二的另一端连接所述过压保护芯片的OVP脚和电阻三,所述电阻三的另一端接地,所述电容一与所述电阻三并联,所述过压保护芯片的ENB脚连接电阻一,所述电阻一的另一端接地,所述过压保护芯片的GND脚接地,所述过压保护芯片的OUT脚用于USB电源输出。

2.如权利要求1所述的USB保护电路,其特征在于,还包括电容二,所述电容二的一端连接所述过压保护芯片的OUT脚,电容二的另一端接地;

和/或,还包括电容三,所述电容三的一端连接所述过压保护芯片的OUT脚,电容三的另一端接地;

和/或,还包括电容四,所述电容四的一端连接所述过压保护芯片的VIN脚,电容四的另一端接地;

和/或,还包括电容五,所述电容五的一端连接所述过压保护芯片的VIN脚,电容五的另一端接地。

3.如权利要求2所述的USB保护电路,其特征在于,所述电容二和电容四的容值范围为10nF~100nF,所述电容三和电容五的容值大于等于10uF。

4.如权利要求1所述的USB保护电路,其特征在于,还包括USB2.0公头、USB2.0母座、ESD器件一和ESD器件二,所述USB2.0公头的VBUS脚作为USB输入电源连接所述过压保护芯片的VIN脚,所述USB2.0母座的VBUS脚作为USB输出电源连接所述过压保护芯片的OUT脚,所述USB2.0公头的D-脚连接所述USB2.0母座的D-脚和ESD器件一,所述ESD器件一的另一端接地,所述USB2.0公头的D+脚连接所述USB2.0母座的D+脚和ESD器件二,所述ESD器件二的另一端接地,所述USB2.0公头的GND脚与所述USB2.0母座的GND脚相连接并接地。

5.如权利要求4所述的USB保护电路,其特征在于,还包括电阻四和电阻五,所述电阻四串接于所述USB2.0公头的D-脚和所述USB2.0母座的D-脚之间,所述电阻五串接于所述USB2.0公头的D+脚和所述USB2.0母座的D+脚之间。

6.如权利要求4所述的USB保护电路,其特征在于,ESD器件一和ESD器件二可为TVS管或压敏电阻。

7.如权利要求1所述的USB保护电路,其特征在于,还包括USB3.0公头、USB3.0母座、ESD器件一、ESD器件二、ESD器件三、ESD器件四、ESD器件五和ESD器件六,所述USB3.0公头的VBUS脚作为USB输入电源连接所述过压保护芯片的VIN脚,所述USB3.0母座的VBUS脚作为USB输出电源连接所述过压保护芯片的OUT脚,所述USB3.0公头的D-脚连接所述USB3.0母座的D-脚和ESD器件一,所述ESD器件一的另一端接地,所述USB3.0公头的D+脚连接所述USB3.0母座的D+脚和ESD器件二,所述ESD器件二的另一端接地,所述USB3.0公头的TX-脚连接所述USB3.0母座的TX-脚和ESD器件三,所述ESD器件三的另一端接地,所述USB3.0公头的TX+脚连接所述USB3.0母座的TX+脚和ESD器件四,所述ESD器件四的另一端接地,所述USB3.0公头的RX-脚连接所述USB3.0母座的RX-脚和ESD器件五,所述ESD器件五的另一端接地,所述USB3.0公头的RX+脚连接所述USB3.0母座的RX+脚和ESD器件六,所述ESD器件六的另一端接地,所述USB3.0公头的GND脚与所述USB3.0母座的GND脚相连接并接地。

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