[实用新型]大功率晶体管封装外壳用引线

说明书

本实用新型公开了一种大功率晶体管封装外壳用引线，所述大功率晶体管封装外壳包括多层陶瓷墙，所述引线为由第一可伐合金片、铜片、第二可伐合金片复合成的可伐包铜的带状结构，所述引线与所述多层陶瓷墙焊接。本实用新型中引线的可伐合金片与陶瓷的匹配性能良好，具有高可靠性；第一可伐合金片与第二可伐合金片之间设有铜片，铜片电阻率小，从而降低引线上的压降和功耗。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件封装技术领域，具体地说，涉及一种大功率晶体管封装外壳用引线。

背景技术

大功率晶体管的封装外壳，其典型结构包括金属热沉、多层陶瓷墙、封口环、封口盖板和引线；所述多层陶瓷墙的表面有金属化区，金属热沉、引线、封口环用焊料焊接到多层陶瓷墙的金属化区；其中所述封口盖板通过所述封口环焊接在多层陶瓷墙的上端面，形成密封腔体，为内部的大功率晶体管芯片提供气密环境保护和机械支撑。晶体管通过热沉、引线实现电路的内外连通。

上述封装外壳具有多层陶瓷墙和金属热沉结构，其引线可以选用可伐材料从管壳两侧引出，这样导致引线上的压降增大，使引线上功耗增加；若采用铜引线能使引线压降和功耗降低，但是铜与陶瓷材料的不匹配，导致在长时间的温变工作过程中外壳可靠性降低，导致传统的大功率晶体管封装外壳无法满足高可靠性输出端、低功耗的要求。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于提供一种大功率晶体管封装外壳用引线，旨在解决现有封装外壳输出端可靠性与功耗之间的矛盾。

为实现上述目的，本实用新型实施例采用的技术方案是：

一种大功率晶体管封装外壳用引线，所述大功率晶体管封装外壳包括多层陶瓷墙，所述引线为由第一可伐合金片、铜片、第二可伐合金片复合成的可伐包铜的带状结构，所述引线与所述多层陶瓷墙焊接。

可选的，所述多层陶瓷墙为氧化铝陶瓷。

可选的，所述引线的厚度为0.1-2mm。

可选的，所述第一可伐合金片、铜片和第二可伐合金片的厚度比为0.1-1:1:0.1-1。

所述多层陶瓷墙底面开孔，所述引线通过设置在所述孔内的金属焊料与大功率晶体管的相应电极连接。

可选的，所述大功率晶体管封装外壳还包括：焊接在所述多层陶瓷墙下端面的金属热沉、设置在所述多层陶瓷墙上端面的封口盖板，所述多层陶瓷墙、金属热沉和封口盖板构成所述大功率晶体管的密封腔体。

本实用新型实施例提供的大功率晶体管封装外壳用引线的有益效果在于：引线的上、下层选用可伐合金片，可伐合金与陶瓷的匹配性能良好，具有高可靠性；在第一可伐合金片与第二可伐合金片之间设有铜片，铜片电阻率小，从而降低引线上的压降和功耗。

在可选的方案中，引线直接从多层陶瓷墙开孔处引出，有效的缩减传输线路的长度，降低了损耗。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的大功率晶体管封装外壳结构示意图；

图2为图1中A-A向剖视结构示意图；

图3为图1的俯视结构示意图；

附图标记：

10-金属热沉 11-封口盖板 12-多层陶瓷墙

13-孔 20-引线 21-第一可伐合金片

22-铜片 23-第二可伐合金片。

具体实施方式