[实用新型]半导体器件有效

申请号：	201820256425.2	申请日：	2018-02-13
公开（公告）号：	CN208315529U	公开（公告）日：	2019-01-01
发明（设计）人：	戈登·M·格里芙尼亚	申请（专利权）人：	半导体元件工业有限责任公司
主分类号：	H01L21/78	分类号：	H01L21/78
代理公司：	北京派特恩知识产权代理有限公司 11270	代理人：	马芬;姚开丽
地址：	美国亚***	国省代码：	美国;US
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件衬底半导体管芯本实用新型半导体开口技术效果导电层延伸支撑改进
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【说明书】：

本实用新型涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底包括多个半导体管芯。在所述多个半导体管芯上方形成多个开口，并且所述多个开口部分地延伸到所述半导体衬底的表面中。导电层在介于所述开口之间的所述半导体衬底的所述表面的其余部分上方形成并且形成到所述开口中。本实用新型所解决的一个技术问题是物理地支撑超薄半导体管芯。本实用新型所实现的一个技术效果是提供改进的半导体器件。

技术领域

本实用新型整体涉及半导体器件，更具体地讲涉及半导体器件以及形成超薄半导体管芯的背面开口的方法。

背景技术

半导体晶圆或衬底可用多种基极衬底材料制成，诸如硅(Si)、锗、磷化铝、砷化铝、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、氮化铝镓/氮化镓(AlGaN/GaN)、磷化铟、碳化硅(SiC)或其他用于提供结构支撑的基体材料。多个半导体管芯形成在晶圆上，通过非有源的管芯间衬底区域或锯道分开。锯道提供切割区域以将半导体晶圆切割成单独半导体管芯。

在竖直半导体器件中，主电流路径从管芯的顶表面到达管芯的背表面是竖直的。竖直电阻(例如，竖直晶体管的漏源电阻(RDSON))随半导体管芯的厚度而降低。为了最大程度降低竖直电阻，半导体管芯应尽可能薄，同时仍然保持结构完整性。可在背表面中形成开口以降低半导体管芯的厚度和竖直电阻。跨越背表面形成厚金属层(诸如25微米(μm)铜)并且使该金属层进入开口中以便提供结构支撑和电互连。遗憾的是，切割穿过锯道内的厚金属层以分开半导体管芯可能较困难，并且会造成锯片的过早磨损和过量切割碎屑。

实用新型内容

本实用新型所解决的一个技术问题是物理地支撑超薄半导体管芯。

根据本实用新型的一个方面，半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括多个半导体管芯。在所述多个半导体管芯上方形成多个开口，并且所述多个开口部分地延伸到半导体衬底的表面中。导电层在介于开口之间的半导体衬底的表面的其余部分上方形成并且形成到开口中。

在上述半导体器件的一个实施方案中，所述多个开口设置在多个偏置行中。

在上述半导体器件的一个实施方案中，介于开口之间的半导体衬底的表面的其余部分包括蜂窝图案。

在上述半导体器件的一个实施方案中，介于开口之间的半导体衬底的表面的其余部分包括图案或形状。

在上述半导体器件的一个实施方案中，所述多个开口减小所述多个半导体管芯的厚度。

在上述半导体器件的一个实施方案中，导电层的厚度小于1.5微米。

在上述半导体器件的一个实施方案中，所述多个半导体管芯在半导体衬底上偏置。

在上述半导体器件的一个实施方案中，半导体衬底包括支撑环。

在上述半导体器件的一个实施方案中，导电层在开口中的第一部分与导电层在介于开口之间的半导体衬底的表面的其余部分上方的第二部分分开。

在上述半导体器件的一个实施方案中，所述多个开口中的每个开口包括与所述多个半导体管芯之一的边界大约对准的边界。