[实用新型]一种组合硅芯、组合硅芯单元体以及还原炉有效
申请号: | 201820241694.1 | 申请日: | 2018-02-11 |
公开(公告)号: | CN207918445U | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 徐兰 | 申请(专利权)人: | 徐兰 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
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地址: | 610043 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅芯 单元体 还原炉 底盘 侧向 导电连接装置 本实用新型 单元体安装 硅芯表面 化学反应 均匀设置 晶体硅 散射状 钟罩 沉积 延伸 | ||
本实用新型提供一种组合硅芯、组合硅芯单元体以及还原炉。该组合硅芯,其包括至少两个硅芯单元,每个硅芯单元具有第一侧以及远离第一侧的第二侧,所有硅芯单元的第一侧组合在一起,每个硅芯单元从第一侧向第二侧延伸,相邻硅芯单元的第二侧之间具有间隙;硅芯单元沿组合硅芯的圆周方向均匀设置。该组合硅芯单元体,包括导电连接装置和至少两个上述组合硅芯。该还原炉,包括钟罩、底盘以及上述组合硅芯单元体,组合硅芯单元体安装至底盘。组合硅芯的截面形成散射状的形状,组合硅芯增加发生化学反应的硅芯表面的面积,提高晶体硅的沉积速度。
技术领域
本实用新型涉及晶体硅生长还原炉,具体而言,涉及一种用于晶体硅生长还原炉的组合硅芯、组合硅芯单元体以及还原炉。
背景技术
晶体硅是制备半导体和光伏电池的原材料。改良西门子法和Si H4法是国际上生产晶体硅的主流技术。还原炉内的反应气体在炽热的硅芯表面发生化学气相沉积反应生成晶体硅。生产实际所用的硅芯普遍为单根硅芯,其截面为圆形或正方形,其缺陷在于发生化学反应的硅芯表面的反应面积较小,发生化学反应的硅芯表面的反应面积有待提高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种组合硅芯,其能够增加发生沉积化学反应的硅芯表面的面积。
本实用新型的实施例是这样实现的:
一种组合硅芯,其包括至少两个硅芯单元,每个硅芯单元具有第一侧以及远离第一侧的第二侧,所有硅芯单元的第一侧组合在一起,每个硅芯单元从第一侧向第二侧延伸,相邻硅芯单元的第二侧之间具有间隙;硅芯单元沿组合硅芯的圆周方向均匀设置。
在本实用新型较佳的实施例中,从第一侧指向第二侧的方向为第二方向,硅芯单元从组合硅芯的中间位置沿第二方向朝向远离中间位置的位置延伸以使组合硅芯形成散射状。
在本实用新型较佳的实施例中,上述组合硅芯还包括安装件,安装件开设有安装硅芯单元的槽,至少一部分硅芯单元的端部安装至安装件。
在本实用新型较佳的实施例中,上述硅芯单元的横截面形状为圆形、椭圆形、三角形、矩形或多边形。
在本实用新型较佳的实施例中,上述硅芯单元的立体形状为圆柱形、圆台、长方体或棱台。
在本实用新型较佳的实施例中,上述组合硅芯为一体成形件。
在本实用新型较佳的实施例中,上述硅芯单元为空心或实心的硅芯。
在本实用新型较佳的实施例中,上述组合硅芯还包括设置于硅芯单元的端部的连接部。
在本实用新型较佳的实施例中,上述一个组合硅芯的至少一部分硅芯单元的第一侧之间具有间隙。
在本实用新型较佳的实施例中,上述组合硅芯包括两个硅芯单元,两个硅芯单元相对于组合硅芯的中心面对称设置。
在本实用新型较佳的实施例中,上述组合硅芯包括至少三个硅芯单元。
在本实用新型较佳的实施例中,上述组合硅芯包括至少四个硅芯单元。
一种组合硅芯单元体,其包括导电连接装置和至少两个组合硅芯,组合硅芯包括至少两个硅芯单元,每个硅芯单元具有第一侧以及远离第一侧的第二侧,所有硅芯单元的第一侧组合在一起,每个硅芯单元从第一侧向第二侧延伸,相邻硅芯单元的第二侧之间具有间隙;硅芯单元沿组合硅芯的圆周方向均匀设置;组合硅芯之间通过导电连接装置连接。
在本实用新型较佳的实施例中,上述组合硅芯还包括设置于硅芯单元的端部的连接部,导电连接装置包括连接不同组合硅芯的对应硅芯单元的连接部的横梁。
一种还原炉,还原炉包括钟罩、底盘以及上述组合硅芯单元体,组合硅芯单元体安装至底盘。
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