[实用新型]垂直晶体管

权利要求书

1.一种垂直晶体管，其特征在于，包括：

绝缘体层，所述绝缘体层包括开口；

其中所述开口包括：

外延半导体材料沟道区域；

在所述沟道区域一侧上的外延半导体材料漏极；以及

在所述沟道区域的相对侧上的外延半导体材料源极；以及

在绝缘体层内延伸的栅极导体的部分，其中所述栅极导体部分的所述部分的厚度在所述沟道区域附近减小。

2.根据权利要求1所述的垂直晶体管，其特征在于，所述栅极导体的所述部分的厚度在所述沟道区域附近从3.5nm至7nm之间减小到0.5nm至2nm之间。

3.根据权利要求1所述的垂直晶体管，其特征在于，所述源极区域和所述漏极区域之间的所述沟道区域的长度在1nm至5nm之间。

4.根据权利要求1所述的垂直晶体管，其特征在于，所述沟道区域的宽度在7nm至13nm之间。

5.根据权利要求1所述的垂直晶体管，其特征在于，还包括：

源极区层；以及

漏极区层；

其中所述绝缘体层平行于所述源极区层和所述漏极区层延伸，并且被定位在所述源极区层和所述漏极区层之间。

6.根据权利要求1所述的垂直晶体管，其特征在于，所述绝缘体层包括第一部分和第二部分，其中所述栅极导体平行于所述第一部分和所述第二部分延伸并且被定位在所述第一部分和所述第二部分之间，并且其中所述绝缘体层还包括围绕所述开口并连接所述第一部分和所述第二部分的第三部分，所述第三部分将所述栅极导体与所述沟道区域绝缘。

7.一种垂直晶体管，其特征在于，包括：

掺杂有第一导电型掺杂剂的衬底层；

绝缘层，具有与所述衬底层的顶部表面接触的底部表面，所述绝缘层还具有顶部表面以及从所述顶部表面通过所述绝缘层延伸到所述底部表面的开口；

导电栅极区域，在所述绝缘层内，并且包括在所述开口的相对侧上的栅极部分；

在所述开口内的外延半导体材料沟道区域；

在所述沟道区域的一侧上的所述开口内的外延半导体材料漏极；以及

在所述沟道区域的相对侧上的所述开口内的外延半导体材料源极；

其中随着所述栅极部分接近所述开口，在所述开口的相对侧上的所述栅极部分的厚度变薄。

8.根据权利要求7所述的垂直晶体管，其特征在于，随着所述栅极部分接近所述开口，所述栅极部分的厚度从3.5nm至7nm之间减小到0.5nm至2nm之间。

9.根据权利要求7所述的垂直晶体管，其特征在于，所述源极区域和所述漏极区域之间的所述沟道区域的长度在1nm至5nm之间。

10.根据权利要求7所述的垂直晶体管，其特征在于，所述沟道区域的宽度在7nm至13nm之间。

11.根据权利要求7所述的垂直晶体管，其特征在于，还包括在所述绝缘层之上延伸并且与所述开口内的半导体材料接触的半导体层。