[实用新型]基于Q值判别无线充电异物的电路有效
申请号: | 201820205512.5 | 申请日: | 2018-02-06 |
公开(公告)号: | CN208316421U | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 邵礼斌 | 申请(专利权)人: | 深圳劲芯微电子有限公司 |
主分类号: | H02J50/60 | 分类号: | H02J50/60;H02J50/20;H02J50/12 |
代理公司: | 深圳市金笔知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44297 | 代理人: | 胡清方;彭友华 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无线发送电路 检测电路 电磁波 异物 无线接收电路 检测 电磁波传输 改变频率 无线充电 电路 发送 本实用新型 电路结构 电性连接 工作效率 影响系统 | ||
一种基于Q值判别无线充电异物的电路,包括无线发送电路和检测电路,检测电路与无线发送电路电性连接,无线发送电路发出使无线接收电路无法工作的不断改变频率的电磁波,在无线发送电路发送电磁波的过程中,检测电路检测无线发送电路的Q值,根据检测的Q值判断无线发送电路的电磁波传输范围内是否存在异物。本实用新型由于采用了无线发送电路和检测电路,无线发送电路发出使无线接收电路无法工作的不断改变频率的电磁波,在无线发送电路发送电磁波的过程中,检测电路检测无线发送电路的Q值,根据检测的Q值判断无线发送电路的电磁波传输范围内是否存在异物;具有电路结构简单、成本低和不会影响系统的工作效率等优点。
技术领域
本实用新型涉及无线充电异物检测技术领域,尤其是涉及一种基于Q值判别无线充电异物的电路。
背景技术
无线充电技术近年得到长足的发展,并且在各种电子设备中得到应用, 特别是在手机等消费电子中成为了新兴的热点应用。然而,金属异物的检测一直是个有待提高的问题,早前多是采用能量损失法,但能量损失法会受到接收设备本身效率,发射线圈,接收线圈距离,以及放偏等因素的影响,准确率很难做到很高。
由于无线充/供电设备本身是RLC振荡回路构成,设备RLC电路本身具备固定的Q值,异物(本处异物为金属导体)的引入使得RLC电路的Q值发送变化,人们实用新型了通过检测Q值的变化判断是否存在异物的方法。但是检测Q值是在谐振频率段进行,会在发射线圈和接收线圈上耦合很高的电压,会给设备造成不可恢复的损伤,为了解决这个问题,有人在主供电电路上加上复杂的切换电路,在Q值检测时提供极低的电压,正常工作时再切换回正常电压。但是这种处理方案有几大弊端:1.在主电路上增加了切换电路,在正常工作时会影响系统的效率;2.增加了电路的复杂度;3.增加了系统成本。
实用新型内容
为了克服上述问题,本实用新型提供一种电路结构简单、成本低和不会影响系统的工作效率的基于Q值判别无线充电异物的电路。
本实用新型的一种技术方案是:提供一种基于Q值判别无线充电异物的电路,包括无线发送电路和检测电路,所述检测电路与所述无线发送电路电性连接,所述无线发送电路发出使无线接收电路无法工作的不断改变频率的电磁波,在所述无线发送电路发送电磁波的过程中,所述检测电路检测所述无线发送电路的Q值,根据检测的Q值判断所述无线发送电路的电磁波传输范围内是否存在异物。
作为对本实用新型的改进,所述无线发送电路包括与电源电性连接的供电电路和逆变电路,所述逆变电路与所述供电电路电性连接,所述检测电路分别与所述供电电路的输出端和所述逆变电路的线圈节点电性连接。
作为对本实用新型的改进,所述供电电路包括第一驱动芯片、第一MOS管、第二MOS管和第一VMOS管,电源分别与第一二极管的正极、所述第一驱动芯片的一号脚、所述第一电容的一端和所述第一驱动芯片的七号脚电性连接,所述第一二极管的负极分与所述第一驱动芯片的二号脚和第二电容的一端电性连接,所述第二电容的另一端与所述第一驱动芯片的四号脚电性连接,所述第一电容的另一端接地,所述第一驱动芯片的三号脚通过第一电阻与所述第一MOS管的G极电性连接,所述第一驱动芯片的十号脚通过第二电阻与所述第二MOS管的G极电性连接,所述第一驱动芯片的六号脚通过第三电阻接地;第三电容和第四电容并联,并且电源与所述第三电容的一端、所述第四电容的一端和所述第一MOS管的D极电性连接,所述第三电容和所述第四电容的另一端接地,所述第一MOS管的S极、所述第二MOS管的D极、所述第一驱动芯片的四号脚和电感的一端电性连接,所述第二MOS管的S极接地,所述电感的另一端、所述第四电阻的一端和第六电容的一端分别与所述逆变电路的输入端电性连接,所述第六电容的另一端接地,所述第四电阻的另一端分别与第五电容和第五电阻的一端电性连接,所述第五电容和所述第五电阻并联,所述第五电容和所述第五电阻的另一端分别与所述第一VMOS管的D极电性连接,所述第一VMOS管的S极接地。
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