[实用新型]一种低频RFID读卡装置

权利要求书

1.一种低频RFID读卡装置，其特征在于，包括控制模块、谐振模块、放大模块、包络检波模块、天线和抑制电源噪声模块，所述抑制电源噪声模块分别与控制模块、谐振模块、放大模块和包络检波模块连接，所述控制模块的输出端依次通过谐振模块和放大模块与天线的输入端连接，所述天线的输出端通过包络检波模块与控制模块的输入端连接，所述抑制电源噪声模块用于抑制为低频RFID读卡装置供电的外接电源的噪声。

2.根据权利要求1所述的一种低频RFID读卡装置，其特征在于，所述抑制电源噪声模块包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容和放大器；

所述第一电阻的一端与偏置电压连接，所述第一电阻的另一端分别与放大器的同相输入端、第二电阻的一端和第一电容的一端连接，所述第二电阻的另一端和第一电容的另一端均接地，所述第二电容的一端作与外接电源连接，所述第二电容的另一端通过第三电阻与放大器的反向输入端连接，所述放大器的输出端通过第五电阻与第四电容的一端连接，所述第四电容的另一端分别与控制模块、谐振模块、放大模块和包络检波模块连接，所述第四电阻连接在放大器的反向输入端和放大器的输出端之间，所述第三电容与第四电阻并联。

3.根据权利要求2所述的一种低频RFID读卡装置，其特征在于，所述放大器采用MCP602芯片。

4.根据权利要求1所述的一种低频RFID读卡装置，其特征在于，还包括升压模块，所述升压模块与控制模块连接。

5.根据权利要求4所述的一种低频RFID读卡装置，其特征在于，所述升压模块包括第一处理器、NPN型双极性晶体管、P型场效应晶体管、电感、二极管、第六电阻、第七电阻和第八电阻；

所述控制模块与NPN型双极性晶体管的基极连接，所述NPN型双极性晶体管的集电极依次通过第六电阻和第七电阻连接至偏置电压，所述NPN型双极性晶体管的发射极接地，所述P型场效应晶体管的源极连接至偏置电压，所述P型场效应晶体管的栅极与第六电阻和第七电阻连接节点连接，所述P型场效应晶体管的漏极与第八电阻的一端连接，所述第八电阻的一端作为升压模块的输入端，所述第八电阻的另一端分别与电感的一端和第一处理器的VIN引脚连接，所述电感的另一端分别与二极管的正极和第一处理器的SW引脚连接，所述二极管的负极作为升压模块的输出端。