[实用新型]一种低频半双工读卡装置

说明书

本实用新型公开了一种低频半双工读卡装置，包括控制模块、放大谐振模块、包络检波模块和天线，所述天线的输出端通过包络检波模块与控制模块的输入端连接，所述放大谐振模块包括放大单元和谐振单元，所述控制模块的输出端分别与放大单元的输入端和谐振单元的输入端连接，所述放大单元和谐振单元连接，所述放大单元的输出端与天线的输入端连接。本实用新型通过谐振单元使读卡装置的输出与标签谐振匹配，和通过放大单元增大读卡装置的输出功率，从而使标签能够存储更多的能量，提高能量转换的效率，可广泛应用于射频识别领域。

技术领域

本实用新型涉及射频识别领域，尤其涉及一种低频半双工读卡装置。

背景技术

随着技术科技的发展，现RFID产品应用至越来越多领域，比如零售领域、物流领域和图书馆，同时带来显著的经济效果。低频RFID读卡装置分有全双工读卡装置和半双工读卡装置，半双工读卡装置实用的是半双工技术，在该技术中，读写器先打开射频场对标签充电以激活标签，然后关闭磁场，标签在读写器磁场关闭的情况下向读写器传送数据。由于在半双工技术通讯中，RFID标签是无源的，读卡装置给RFID标签发送信息时，RFID标签在接收信息的同时存储能量，并使用该能量反馈信息给读卡装置，因此读卡装置接收到的信号是非常微弱的，容易造成读卡装置接收到不准确的信息。如果使读卡装置与标签谐振匹配，则可以让标签能够存储更多能量，从而读卡装置接收到的信号更加准确。现有的读卡装置接收到的信号都只是为了提高读卡装置输出的运放，并没有注重输出谐振匹配，因此，即使读卡装置输出再大的功率，标签与也存储不了多少能量，造成资源的浪费。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种低频半双工读卡装置。

本实用新型所采用的技术方案是：一种低频半双工读卡装置，包括控制模块、放大谐振模块、包络检波模块和天线，所述天线的输出端通过包络检波模块与控制模块的输入端连接，所述放大谐振模块包括放大单元和谐振单元，所述控制模块的输出端分别与放大单元的输入端和谐振单元的输入端连接，所述放大单元和谐振单元连接，所述放大单元的输出端与天线的输入端连接。

进一步，还包括蓝牙模块，所述蓝牙模块与控制模块连接。

进一步，所述放大单元采用可变放大单元。

进一步，所述可变放大单元包括第一处理器、第一NPN型双极性晶体管、第二NPN型双极性晶体管、第三NPN型双极性晶体管、第四NPN型双极性晶体管、第五NPN型双极性晶体管、第六NPN型双极性晶体管、耐压二极管和第一电阻；

所述第一处理器的第一引脚、第三引脚、第五引脚、第九引脚、第十一引脚以及第十三引脚均与控制模块连接，所述第一处理器的第二引脚与第一NPN型双极性晶体管的基极连接，所述第一处理器的第四引脚与第二NPN型双极性晶体管的基极连接，所述第一处理器的第六引脚与第三NPN型双极性晶体管的基极连接，所述第一处理器的第十引脚与第四NPN型双极性晶体管的基极连接，所述第一处理器的第十二引脚与第五NPN型双极性晶体管的基极连接，所述第一处理器的第十四引脚与电源连接，所述第一处理器的第七引脚接地，所述第一处理器的第八引脚与耐压二极管的正极连接，所述耐压二极管的负极通过第一电阻接地，所述耐压二极管的负极与第六NPN型双极性晶体管的基极连接，所述谐振单元的输出端分别与第一NPN型双极性晶体管的集电极、第二NPN型双极性晶体管的集电极、第三NPN型双极性晶体管的集电极、第四NPN型双极性晶体管的集电极和第五NPN型双极性晶体管的集电极连接，所述第六NPN型双极性晶体管的集电极分别与第一NPN型双极性晶体管的发射极、第二NPN型双极性晶体管的发射极、第三NPN型双极性晶体管的发射极、第四NPN型双极性晶体管的发射极和第五NPN型双极性晶体管的发射极连接，所述第六NPN型双极性晶体管的发射极接地，所述天线的一端与第五NPN型双极性晶体管的集电极连接，所述天线的另一端与第五NPN型双极性晶体管的发射极连接。

进一步，所述谐振单元包括第二处理器、电感和第一电容；