[实用新型]谐振器

说明书

本实用新型公开了一种谐振器。该谐振器包括：衬底、第一电极、压电层、第二电极层，其中，第一电极，位于衬底上，第一电极的一部分与衬底之间具有声波谐振部；压电层，位于第一电极上；第二电极层，位于压电层上，其中，第二电极层被分割为处于中心区域的第二电极和反射栅，反射栅和第二电极之间间隔第一预设距离。通过本实用新型，解决了相关技术中声波容易向谐振器外泄漏的问题。

技术领域

本实用新型涉及电子通信技术器件领域，具体而言，涉及一种谐振器。

背景技术

滤波器或双工器，是手持移动通信产品的重要组成部分之一。目前，手持移动通信产品主要采用基于压电材料制作的双工器或滤波器，如薄膜体声波双工器或滤波器。薄膜体声波谐振器是构成压电体声波滤波器和双工器的基本单元，因此薄膜体声波谐振器的品质因数直接关系到滤波器和双工器通带的插入损耗和滤波器的滚降特性。压电体声波谐振器的品质因数越高，则由它构成的滤波器或双工器通带的插入损耗越低，同时拥有越陡峭的滚降特性，进而延长手机电池的使用寿命，同时有效抑制干扰信号。

薄膜体声波谐振器的工作区由金属底电极-压电膜-金属上电极组成，器件工作于厚度振动模式，工作频率与压电材料的厚度成反比。当电信号加载到薄膜体声波谐振器上时，器件中的压电薄膜通过逆压电效应将电信号转变为声信号，声学结构对不同频率的声信号呈现出选择性，其中器件内满足声波全反射条件的声信号将在器件内实现谐振，而不满足谐振条件的声信号就会衰减，在频谱上与谐振声信号频率相差越多的声信号衰减越快，这样薄膜体声波谐振器最终就表现出对电信号的选频作用。虽然薄膜体声波谐振器的主模工作在厚度振动模式，但是因为谐振器的尺寸并非无限大，在电极和压电层交界的区域会出现声阻抗的不连续，因此其它模式的声波会被激发出来，这些模式的声波不能很好的被限制在谐振器内部，有部分声波能量会传输到谐振器外部损耗掉，从而使谐振器的品质因数降低。

图1a和图1b示出的是现有技术中的一种增强空腔结构薄膜体声波谐振器品质因数的方法。如图1a和图1b所示，薄膜体声波谐振器100包括衬底101；在衬底上刻蚀形成的空腔102；第一电极106；压电层105；第二电极103；在第二电极103边界形成的垫圈层104。在第二电极103边界形成的垫圈层104的区域与其它区域相比具有较重的质量负载，因此可以有效阻止声波往谐振器外泄漏，从而可以提高薄膜体声波谐振器的品质因数。

图2a和图2b示出的是现有技术中另一种增强具有声反射镜结构薄膜体声波谐振器品质因数的方法。如图2a和图2b所示，薄膜体声波谐振器200包括衬底201；在衬底上沉积形成的声学反射镜子220，声学反射镜子220由薄膜221、薄膜222、薄膜223、薄膜224、薄膜225组成，其中薄膜221、薄膜223、薄膜225为低声阻抗材料，如二氧化硅。薄膜222、薄膜224为高声阻抗材料，如钨；第一电极202；压电层205；第二电极203。在第二电极203边界形成的垫圈层204。在第二电极203边界形成的垫圈层204的区域与其它区域相比具有较重的质量负载，因此可以有效阻止声波往谐振器外泄漏，从而可以提高薄膜体声波谐振器的品质因数。

由于图1a中垫圈层104和图2a中垫圈层204需要额外的沉积一层材料，同时还需要进行光刻和刻蚀从而形成该层图案，因此垫圈层需要引入额外的工艺步骤，增加器件制造的复杂度。同时因为垫圈区域引入的质量负载，使得垫圈区域谐振器的谐振频率比无垫圈区域谐振器的谐振频率偏低，对于谐振器来说相当于引入了额外的寄生电容，因此会降低谐振器的有效机电耦合系数，从而会降低滤波器和双工器的带宽。

针对相关技术中声波容易向谐振器外泄漏的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种谐振器，以解决相关技术中声波容易向谐振器外泄漏的问题。