[实用新型]一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片

权利要求书

1.一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，包括：具有正反面的键合基板；其特征在于：从键合基板正面往上依次为：基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层；从P面反射欧姆接触层往上依次为P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层，N电极；键合基板的反面为P电极；P面反射欧姆接触层为Ag或者Ni/Ag叠层金属结构，与P型电流扩展层形成良好的欧姆接触，同时具备光反射和欧姆接触功能。

2.根据权利要求1所述的薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，其特征在于：在非粗化的N型欧姆接触层的上面制备N电极，N电极为Au/Ge/Ni叠层结构；每个N电极正对位置为P面反射欧姆接触层的间隔区，且N电极的中心与P面反射欧姆接触层的中心相对应，N电极的宽度a小于P面反射欧姆接触层的间距b，并满足a=x*b，x=0.7~0.9。

3.根据权利要求2所述的薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，其特征在于：N电极的宽度a为1~20 μm。

4.根据权利要求1所述的薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，其特征在于：P面反射欧姆接触层使用的Ni/Ag金属为叠层，厚度分别为0.1~1nm和100~300nm。

5.根据权利要求1所述的薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，其特征在于：P面扩散阻挡金属层在P面反射欧姆接触层以外的区域与P型电流扩展层之间为非欧姆接触。

6.根据权利要求1所述的薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，其特征在于：基板侧金属键合层和外延材料侧金属键合层的材料均为Sn、In、Ag、Au其中一种或多种。

7.根据权利要求1所述的薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，其特征在于：P面扩散阻挡金属层的材料为Cr、Ti、Pt、Au、Ni、Wu、Cu其中一种或金属合金TiW、FeNiCr、FeCoCr其中一种。