[实用新型]高电压LED光源

权利要求书

1.一种高电压LED光源，其特征在于，包括衬底、以及形成于所述衬底表面的多个独立的LED单元，每个所述LED单元分别包括依次形成于衬底上的N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、ITO窗口层、SiO₂钝化层、以及分别与所述ITO窗口层和N型GaN层电性连接的P电极和N电极，每个LED单元的P电极与相邻LED单元的N电极之间通过金属层电性串联，所述ITO窗口层的厚度为57.5nm的偶数倍。

2.根据权利要求1所述的高电压LED光源，其特征在于，所述ITO窗口层和P型GaN层之间设置有SiO₂电流阻挡层，所述SiO₂电流阻挡层对应于所述P电极的下方。

3.根据权利要求2所述的高电压LED光源，其特征在于，所述SiO₂电流阻挡层的厚度为90nm。

4.根据权利要求1所述的高电压LED光源，其特征在于，所述ITO窗口层的厚度为230nm。

5.根据权利要求1所述的高电压LED光源，其特征在于，所述衬底为上表面图形化的蓝宝石衬底。

6.根据权利要求1所述的高电压LED光源，其特征在于，相邻的LED单元之间形成有沟槽，所述衬底的上表面构成所述沟槽的底部，所述沟槽具有倾斜的侧面。

7.根据权利要求1所述的高电压LED光源，其特征在于，所述P电极和N电极的材料为Cr/Au金属。

8.根据权利要求1所述的高电压LED光源，其特征在于，所述金属层的材料为Cr/Au金属。

9.根据权利要求1所述的高电压LED光源，其特征在于，所述量子阱层采用InGaN/GaN结构。