[实用新型]新型CMOS结构的LDO线性稳压器有效
| 申请号： | 201820142390.X | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN207731181U | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 聂海;宋登明;王银 | 申请（专利权）人： | 成都市海芯微纳电子科技有限公司;成都信息工程大学 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 成都天汇致远知识产权代理事务所(普通合伙) 51264 | 代理人： | 韩晓银 |
| 地址： | 610093 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 线性稳压器 本实用新型 比较器电路模块 带隙基准源电路 误差放大器电路 恒定 偏置电路模块 输出电路模块 负电源电压 输出 反馈电阻 瞬态响应 能力强 功耗 可调 外接 带宽 | ||
1.新型CMOS结构的LDO线性稳压器，其特征在于，包括：偏置电路模块、带隙基准源电路模块、误差放大器电路模块、比较器电路模块以及输出电路模块；
所述偏置电路模块为后级电路提供合适的偏置电压；
所述带隙基准源电路模块为后级电路提供稳定的电压并作为新型LDO的输入级；
所述误差放大器电路模块，用于比较输出反馈取样信号与基准电压，并控制后级电路的工作状态，使输出保持稳定；
所述比较器电路模块输出端与双掷开关相连，控制LDO的输出；
所述输出电路模块，由功率调整管、双掷开关和负载共同构成。
2.如权利要求1所述的新型CMOS结构的LDO线性稳压器，其特征在于，所述偏置电路模块采用自偏置结构，给整个电路提供可靠而稳定的偏置电压。
3.如权利要求2所述的新型CMOS结构的LDO线性稳压器，其特征在于，所述带隙基准源电路模块采用β二阶补偿带隙基准电路结构，为后级电路提供与温度无关且稳定的基准电压。
4.如权利要求3所述的新型CMOS结构的LDO线性稳压器，其特征在于，所述误差放大器电路模块采用折叠式共源共栅结构，具有高增益。
5.如权利要求4所述的新型CMOS结构的LDO线性稳压器，其特征在于，所述比较器电路模块采用两级运放结构。
6.如权利要求5所述的新型CMOS结构的LDO线性稳压器，其特征在于，所述误差放大器电路模块具有低电源工作电压、低静态工作电流、宽带宽、高开环增益和高电源抑制比。
7.如权利要求6所述的新型CMOS结构的LDO线性稳压器，其特征在于，所述比较器电路模块通过选择双掷开关SW的节点A、B，达到LDO输出可调的目的。
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