[实用新型]半导体引线键合工装夹具及其压板结构

说明书

本实用新型提供一种半导体引线键合工装夹具及其压板结构，所述压板包括位于中段的窗口区域以及位于所述窗口区域相对两端的操作区域；其中，所述压板具有相对的顶面及底面，所述窗口区域成形有贯穿所述顶面及所述底面且呈矩阵排列布置的若干压固窗口，各所述压固窗口于所述顶面上形成顶部开口并于所述底面上形成底部压口，所述压固窗口自所述压板的顶面朝向底面收缩，令所述底部压口的面积小于所述顶部开口。借此，通过在压板上形成矩阵排列的若干压固窗口，使压板将引线框架压固于加热块上时，每一个所述压固窗口对应压固于一个芯片引线焊接区上，并压合于芯片的引脚上，以在引线键合过程中对引脚起到有效固定作用，提高键合质量与良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体引线键合技术领域，具体来说涉及用于引线键合的工装夹具及其压板结构。

背景技术

DFN(双边扁平无铅封装)是一种小型电子元器件的封装形式的名称。其中，如图1所示，型号Tiny(Q)DFN的引线框架以高密度设计为主，其包括了引线框架20以及呈矩阵排列布置于所述引线框架20上的多列微小芯片30。所述Tiny(Q)DFN引线框架的引线键合制程主要通过如图1所示的工装夹具10进行压合步骤，所述工装夹具10包括压板11及加热块12，所述压板11设置能够概括多列芯片30的大面积开窗13，所述加热块12顶部成形为平面14，借此，通过将引线框架20及芯片30夹置于压板11及加热块12之中，实现一次压合多列半导体产品完成引线键合，且所述引线框架20通过预埋在加热块12中的真空孔15吸引固定在加热块12的平面14上，避免在引线键合过程中发生晃动，有利于提升引线键合制程的键合质量与良率。

值得注意的是，所述引线框架20上对应每个芯片30设有一个芯片引线焊接区21；如图1所示，由于所述芯片引线焊接区21及其上的芯片30所占面积与体积皆相当微小，通过真空吸固引线框架20时，真空孔15的开孔面积不能大至包括整个芯片引线焊接区21，以避免吸力反而造成芯片引线焊接区21在键合时颤动或变形影响产品良率，从而现有的真空孔15主要对应芯片引线焊接区21的中央区域开设；然而，现有真空孔15设置方式也造成了靠近芯片引线焊接区21周围的芯片引脚31无法通过真空孔15实现有效的吸固作用，进而导致在引线键合过程中容易固定不牢靠发光二焊点不粘的问题，有待进一步改善。

实用新型内容

鉴于上述情况，本实用新型提供一种半导体引线键合工装夹具及其压板结构，通过在压板上形成矩阵排列的若干压固窗口，使压板将引线框架压固于加热块上时，每一个所述压固窗口对应压固于引线框架上的一个芯片引线焊接区上，并压合于芯片的引脚上，从而实现在引线键合过程中对引脚起到有效固定作用的目的，提高键合质量与良率。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案是提供一种半导体引线键合压板结构，所述压板包括位于中段的窗口区域以及位于所述窗口区域相对两端的操作区域；其中，所述压板具有相对的顶面及底面，所述窗口区域成形有贯穿所述顶面及所述底面且呈矩阵排列布置的若干压固窗口，各所述压固窗口于所述顶面上形成顶部开口并于所述底面上形成底部压口，所述压固窗口自所述压板的顶面朝向底面收缩，令所述底部压口的面积小于所述顶部开口。

本实用新型的压板结构实施例中，所述压板于所述窗口区域的厚度大于所述操作区域的厚度，且所述压板的顶面成形为平坦表面。

本实用新型的压板结构实施例中，所述压板的底面于所述窗口区域成形为压合平面，所述压板的底面于所述操作区域成形为操作平面，所述压合平面与所述操作平面之间具有连接面连接。

本实用新型的压板结构实施例中，所述压板的底面沿长度方向的相对两侧分别成形有下压凸肋；所述压板形成所述下压凸肋处的厚度与所述压固窗口的深度相等。

本实用新型的压板结构实施例中，述压板的底面于所述窗口区域成形为压合平面，所述压板的底面于所述操作区域成形为操作平面；所述下压凸肋的中段底侧成形为平直压合部，所述平直压合部成形为平面结构并与所述压合平面齐平连接，所述平直压合部的两端分别成形为斜向连接部并与所述操作平面连接。