[实用新型]半导体塑封模具的排气结构

说明书

本实用新型提供一种半导体塑封模具的排气结构，所述塑封模具包括上模块及下模块，所述下模块的下模穴是自底部朝向顶部扩张的阶梯式凹槽，所述下模穴成形有第一阶槽及第二阶槽，所述第一阶槽具有所述下模穴的底面以及围设于所述底面周侧的第一阶立面界定形成，所述第二阶槽具有围设于所述第一阶立面周侧的第二阶平面以及第二阶立面界定形成；所述第二阶平面上沿注塑方向间隔设有若干排气槽，所述排气槽与模具型腔的排气口连通。借此，解决了现有塑封模具因真空孔道及下模穴结构导致的料片凸起以及真空模维护不易等技术问题，本实用新型的塑封模具有效实现了现有真空模应有的使料片平贴功能外，同时避免了真空孔受堵塞导致的生产质量问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体塑封技术领域，具体来说涉及半导体塑封模具的排气结构。

背景技术

DFN(双边扁平无铅封装)是一种小型电子元器件的封装形式的名称。其中，如图1所示，型号Tiny(Q)DFN的引线框架20在塑封时采用的模具10为真空模设计，其包括下模块11及上模块14以及模具对合后形成于下模块11与上模块14之间的型腔，所述型腔与模具10的注塑口15及排气口16连通；如图2及图3所示，所述下模块10顶部凹设形成下模穴12，所述下模穴12成形为阶梯式凹槽，所述下模穴12由下往上扩大槽口并成形有第一阶槽121及第二阶槽122，所述第一阶槽121的深度相当于胶带膜21的厚度并用于容置所述胶带膜21，所述第二阶槽122的深度相当于引线框架20的厚度并用于容置所述引线框架20，且所述下模块10在所述下模穴12下方设有真空孔道13与所述下模穴12的底面贯通。借此，在合模塑封之前，利用下模块11的真空孔道13真空吸平固定料片(包括引线框架20及胶带膜21)，确保合模过程中不会触碰到待塑封料片上的引线(铜线或金线)。

值得注意的是，所述下模块11的真空孔道13在清理模具或生产活动中容易被异物堵塞，导致下模块11失去真空吸附作用，使引线框架20发生如图3所示的凸起现象，无法平贴于下模穴11底面；进而当塑封料30向塑封模具的型腔内注射时，如图4所示，料片的凸起部位将受到塑封料30的推挤朝向排气口16累积形变量，使得料片的凸起现象随着塑封料30的推进而更加严重，最终导致靠近排气口16的几排芯片及其引线有触碰到上模块14造成塌线的风险，有待进一步改善。

实用新型内容

鉴于上述情况，本实用新型提供一种半导体塑封模具的排气结构，通过移除塑封模具下模块的真空孔道并于下模穴的第一阶槽与第二阶槽之间形成排气槽，以在料片置入模具后，使位在最下方的第一阶槽通过所述排气槽与模具的排气口连通排气，解决了现有塑封模具因真空孔道及下模穴结构导致的料片凸起以及真空模维护不易等技术问题，本实用新型的塑封模具有效实现了现有真空模应有的使料片平贴功能外，同时避免了真空孔受堵塞导致的生产质量问题。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案是提供一种半导体塑封模具的排气结构，所述塑封模具包括上模块及下模块，所述上模块的底部内凹形成上模穴，所述下模块的顶部内凹形成下模穴，所述上模穴与所述下模穴对合形成型腔以及与其连通并位于所述型腔相对两侧的注塑口及排气口；其中，所述排气结构包括：所述下模块的下模穴是自底部朝向顶部扩张的阶梯式凹槽，所述下模穴成形有第一阶槽及第二阶槽，所述第一阶槽具有所述下模穴的底面以及围设于所述底面周侧的第一阶立面界定形成，所述第二阶槽具有围设于所述第一阶立面周侧的第二阶平面以及第二阶立面界定形成；所述第二阶平面上沿注塑方向间隔设有若干排气槽，所述排气槽与所述型腔的排气口连通。

本实用新型的实施例中，所述塑封模具用于塑封半导体料片，所述料片包括引线框架以及固设于所述引线框架底面的胶带膜；所述第一阶槽用于容置所述胶带膜，所述胶带膜的面积小于所述第一阶槽的面积，且所述胶带膜的厚度小于或等于所述第一阶槽的深度；所述第二阶槽用于容置所述引线框架，所述引线框架的周缘底侧贴合于所述第二阶平面上。

较佳地，本实用新型的实施例中，所述胶带膜的厚度小于所述第一阶槽的深度，令所述胶带膜容置于所述第一阶槽时，所述胶带膜的底面与所述下模穴的底面之间具有2～3μm的间隙。