[实用新型]引线框架塑封料片翘曲凹凸校正装置及其烘烤校正系统有效
申请号: | 201820142251.7 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN207731908U | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 黎得金;叶文臣;房静 | 申请(专利权)人: | 上海泰睿思微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L23/495 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 汪家瀚 |
地址: | 201306 上海市浦东新区南*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 塑封料 校正装置 引线框架 上压块 下压块 压块组 成形 翘曲 容置空间 校正系统 烘烤 凹弧 底面 顶面 凸弧 整平 本实用新型 凹凸匹配 内部中空 生产效率 平底面 平顶面 叠置 料夹 压合 校正 保证 | ||
本实用新型提供一种引线框架塑封料片翘曲凹凸校正装置及其烘烤校正系统,所述装置用于校正整平由引线框架构成的塑封料片;所述装置包括料夹及压块组,内部中空成形有用以叠置所述塑封料片的容置空间;所述压块组包括下压块及上压块,所述下压块的底、顶分别成形为平底面及凸弧顶面,所述上压块的底顶部分别成形为凹弧底面及平顶面;令所述压块组置于所述容置空间内,所述下压块的凸弧顶面与所述上压块的凹弧底面凹凸匹配并上下压合整平所述塑封料片。借此,解决了现有技术导致的生产率能不佳的问题,在保证生产效率的情况下,实现一种确实改善塑封料片翘曲问题的校正装置及其系统。
技术领域
本实用新型涉及半导体塑封技术领域,具体来说涉及引线框架塑封料片翘曲凹凸校正装置及其烘烤校正系统。
背景技术
DFN(双边扁平无铅封装)是一种小型电子元器件的封装形式的名称。其中,型号Tiny(Q)DFN的铜引线框架在塑封模压工序中采用的设计大多以一条引线框架上设有二至四个区域(block)的设计为主。现有引线框架的设计目的在于,铜引线框架与塑封料的热膨胀系数差异显著(铜:17.7ppm/℃,塑封料:EME-G700Tg125℃,CTEα1 10ppm/℃α239ppm/℃),从而需要将一条框架分割成二至四个区块,以在进行塑封时改善塑封模压后由于塑封料与引线框架的热膨胀系数不一致,导致在经过制程热胀冷缩的过程后使料片(包括塑封料及引线框架)发生翘曲问题,并避免影响到下一工序正常生产。
值得注意的是将引线框架分隔成二至四个区域后进行塑封模压的方案属于本领域现有成熟的技术方案,虽能有效解决料片翘曲的问题,然而,分隔多区块的引线框架需要让位出独立的区域供模具压合使用,从而占用了单条引线框架上可设置芯片的面积,降低了单条引线框架上的产品数量,导致生产效率下降,有待进一步改善。
实用新型内容
鉴于上述情况,本实用新型提供一种引线框架塑封料片翘曲凹凸校正装置及其烘烤校正系统,以解决现有技术导致的生产率能不佳的问题,在保证生产效率的情况下,实现一种确实改善塑封料片翘曲问题的校正装置及其系统。
为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案是提供一种引线框架塑封料片翘曲凹凸校正装置,所述装置用于校正整平由引线框架构成的塑封料片;其中,所述装置包括:料夹,内部中空成形有用以叠置所述塑封料片的容置空间,所述料夹于所述容置空间的底部设有平底板,且所述容置空间的顶部成形有置入口;压块组,包括下压块及上压块,所述下压块的底部成形为平底面,所述下压块的顶部成形为凸弧顶面;所述上压块的底部成形为凹弧底面,所述上压块的顶部成形为平顶面;令所述压块组置于所述容置空间内,所述下压块设于所述料夹的平底板上,所述下压块的凸弧顶面与所述上压块的凹弧底面凹凸匹配并上下压合整平所述塑封料片。
本实用新型的装置实施例中,所述料夹于对应所述平底板的相对两端处成形有竖向延伸且开口相对设置的二限位槽;所述二限位槽共同界定形成所述容置空间。
本实用新型的装置实施例中,所述料夹的平底板成形为长方形,所述平底板的二短边上竖向设有二槽壁,所述平底板的其中一长边上竖向设有围壁,所述围壁连接于所述二槽壁的同侧之间,所述平底板的另一长边上竖向设有二挡壁,所述二挡壁的一侧分别与所述二槽壁连接,所述二挡壁的另一侧共同界定形成观测开口。
本实用新型的装置实施例中,所述槽壁及所述围壁上开设有通孔。
本实用新型的装置实施例中,所述料夹的围壁顶端开设有横向条孔。
另外,本实用新型还提供了一种引线框架塑封料片翘曲烘烤校正系统,所述系统包括烘烤设备以及前述的引线框架塑封料片翘曲凹凸校正装置;令所述塑封料片的塑封层通过所述下压块的凸弧顶面与所述上压块的凹弧底面凹凸匹配压合以校正呈平整层结构,所述塑封料片的塑封层通过所述烘烤设备软化重塑呈平整层结构。
本实用新型的系统实施例中,所述系统还包括冷却室,所述塑封料片的塑封层通过所述冷却室冷却定型呈平整层结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造