[实用新型]可抑制电磁干扰的自适应驱动电路及应用其的开关电源有效
| 申请号： | 201820131163.7 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN207994923U | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 高耿辉;王利 | 申请（专利权）人： | 大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/44 | 分类号： | H02M1/44;H02M1/08 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 116023 辽宁省大连市甘井*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电磁干扰 开关电源 自适应驱动电路 本实用新型 电源系统 控制电路 驱动电路 电阻 变压器 应用 开关电源系统 变压器次级 偏置电流源 回授单元 客户设计 反相器 平坦化 晶体管 | ||
1.一种可抑制电磁干扰的自适应驱动电路，其特征在于，包括：偏置电流源、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、反相器、第一电阻及第二电阻；所述偏置电流源的输入端、所述第六晶体管的漏极、所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的漏极分别与电源VCC相连；所述偏置电流源的输出端分别与所述第五晶体管的栅极以及所述第七晶体管的漏极相连；所述第六晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极相连，并接入所述反相器的输出端，所述第六晶体管的源极与所述第五晶体管的漏极相连；所述第一晶体管的栅极分别与所述第五晶体管的源极以及所述第四晶体管的漏极相连，所述第一晶体管的源极与GATE输出端相连；所述第二晶体管的栅极与所述反相器的输入端相连，并接入PWM输入端，所述第二晶体管的源极与所述GATE输出端相连；所述第三晶体管的漏极与所述GATE输出端相连，所述第三晶体管的源极接地，所述第三晶体管的栅极与所述反相器的输出端相连；所述第四晶体管的源极接地；所述第七晶体管的源极接地，所述第七晶体管的栅极分别与所述第一电阻的另一端以及所述第二电阻的一端相连；所述第一电阻的一端与所述GATE输出端相连；所述第二电阻的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的可抑制电磁干扰的自适应驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管为极大电流能力的驱动管，且所述第一晶体管、所述第三晶体管的电流能力大于所述第二晶体管。
3.一种应用如权利要求1所述的可抑制电磁干扰的自适应驱动电路的开关电源，包括一变压器，其特征在于，还包括一控制电路；所述控制电路包括一欠压锁定电路、所述可抑制电磁干扰的自适应驱动电路以及一脉宽调制器；所述控制电路与设置于所述变压器初级侧的回授单元相连。
4.一种应用如权利要求1所述的可抑制电磁干扰的自适应驱动电路的开关电源，包括一变压器，其特征在于，还包括一控制电路；所述控制电路包括一欠压锁定电路、所述可抑制电磁干扰的自适应驱动电路以及一脉宽调制器；所述控制电路与设置于所述变压器次级侧的回授单元相连。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司，未经大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820131163.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带死区功能的IGBT驱动互锁电路
- 下一篇：一种直流励磁电流源
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
